[發明專利]量子阱層制備方法、LED外延層及LED芯片

有效

• 申請號: 202010968484.4
• 申請日: 2020-09-15
• 公開（公告）號: CN113451453B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 李兵兵;黃國棟;黃嘉宏;林雅雯;楊順貴
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李發兵

1.一種量子阱層制備方法，其特征在于，包括依次執行第一階段生長流程與第二階段生長流程；

所述第一階段生長流程包括：循環交替生長第一勢壘層與第一勢阱層，循環交替的次數為n；

所述第二階段生長流程包括：循環交替生長第二勢壘層、壓應力緩解中間層與第二勢阱層，循環交替的次數為m；所述n與所述m均為大于1的整數。

2.如權利要求1所述的量子阱層制備方法，其特征在于，勢壘層的材質包括氮化鎵GaN，勢阱層的材質包括銦鎵氮InGaN，所述壓應力緩解中間層的材質包括鋁鎵氮AlGaN。

3.如權利要求2所述的量子阱層制備方法，其特征在于，生長所述第一勢壘層包括：

在第一溫度下生長第一GaN層；

在第二溫度下生長第二GaN層；

在第三溫度下生長第三GaN層；所述第二溫度高于所述第一溫度與所述第三溫度，且所述第二溫度高于所述第二勢壘層的生長溫度。

4.如權利要求1-3任一項所述的量子阱層制備方法，其特征在于，所述第二階段生長流程包括：循環交替生長第一溫度過渡層、第二勢壘層、壓應力緩解中間層、第二溫度過渡層與第二勢阱層。

5.一種LED外延層，其特征在于，所述LED外延層自下而上依次包括：

第一半導體層；

量子阱層；以及

第二半導體層；

其中，所述量子阱層包括下部分層與上部分層，所述下部分層自下而上依次包括：n次循環交替的第一勢壘層與第一勢阱層；所述上部分層自下而上依次包括：m次循環交替的第二勢壘層、壓應力緩解中間層與第二勢阱層；所述n與所述m均為大于1的整數。

6.如權利要求5所述的LED外延層，其特征在于，所述LED外延層符合以下要求中的至少一種：

勢壘層的材質包括GaN；

勢阱層的材質包括InGaN；

所述壓應力緩解中間層的材質包括AlGaN。

7.如權利要求6所述的LED外延層，其特征在于，所述第一勢壘層自下而上依次包括：第一GaN層、第二GaN層與第三GaN層；第二GaN層的生長溫度高于所述第一GaN層與所述第三GaN層的生長溫度，且第二GaN層的生長溫度高于所述第二勢壘層的生長溫度。

8.如權利要求5-7任一項所述的LED外延層，其特征在于，所述上部分層自下而上依次包括：m次循環交替的第一溫度過渡層、第二勢壘層、壓應力緩解中間層、第二溫度過渡層與第二勢阱層。

9.如權利要求8所述的LED外延層，其特征在于，溫度過渡層的材質包括GaN。

10.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片中包括如權利要求5-9任一項所述的LED外延層。