[發明專利]具有基板孔的顯示設備在審
| 申請號: | 202010968403.0 | 申請日: | 2020-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN112786647A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發明(設計)人: | 趙大揆;金成奎 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;侯艷超 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 基板孔 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備,包括:
基板,其包括像素區,所述像素區包括包圍孔區的斷開區;
在所述像素區和所述斷開區中的有機發光二極管;
多個無機絕緣層,所述多個無機絕緣層被設置在所述有機發光二極管之下;
斷開結構,其設置在所述斷開區中并且包圍所述孔區;以及
內部壩,其設置在所述斷開區中并且包圍所述斷開結構,
其中,所述斷開結構包括與所述內部壩同時形成的檐部和通過蝕刻設置在所述檐部之下的所述多個無機絕緣層來形成的溝槽,并且
所述斷開結構被構造成通過所述檐部和所述溝槽具有預定的懸伸和預定的深度。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述斷開結構的所述預定的懸伸為0.1μm或更大。
3.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述斷開結構的所述預定的深度為0.1μm或更大。
4.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述有機發光二極管通過所述斷開結構的所述預定的懸伸和所述預定的深度與所述溝槽斷開。
5.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述多個無機絕緣層包括多層化層間絕緣層、柵極絕緣層、多緩沖層和有源緩沖層中的至少一者,并且所述溝槽是通過蝕刻所述多個無機絕緣層中的至少一些而被形成的。
6.根據權利要求5所述的顯示設備,其中,所述多個無機絕緣層包括SiNx和SiOx中的一者。
7.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述有機發光二極管被設置在所述內部壩上。
8.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述檐部被構造成具有第一錐角。
9.根據權利要求8所述的顯示設備,其中,所述檐部被構造成具有第二錐角。
10.根據權利要求1所述的顯示設備,還包括:
設置在所述孔區中的攝像機模塊。
11.根據權利要求1所述的顯示設備,還包括:
外部壩,其設置在所述像素區與所述基板中包括的非像素區之間以包圍所述像素區。
12.根據權利要求11所述的顯示設備,其中,從所述外部壩的頂表面去除了所述有機發光二極管。
13.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述斷開結構還包括設置在所述溝槽中的所述多個無機絕緣層上的蝕刻停止件。
14.根據權利要求13所述的顯示設備,其中,所述蝕刻停止件由與設置在所述像素區中的多個信號線之一相同的金屬層制成。
15.根據權利要求13所述的顯示設備,其中,所述蝕刻停止件的截面寬度大于所述溝槽的截面寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





