[發明專利]碳納米管導熱片及其制備方法

有效

• 申請號: 202010968147.5
• 申請日: 2020-09-15
• 公開（公告）號: CN112239651B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 李承獻;鄧飛
• 申請（專利權）人: 深圳烯灣科技有限公司
• 主分類號: C09K5/14
• 分類號: C09K5/14;C01B32/168
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 潘艷麗

1.一種碳納米管導熱片，其特征在于，包括：

碳納米管陣列，所述碳納米管陣列具有多根定向排列的碳納米管，所述碳納米管具有端面，所述碳納米管陣列由初始碳納米管陣列經過致密化處理制備得到，所述致密化處理為：沿垂直于碳納米管的延伸方向的方向擠壓所述初始碳納米管陣列，以減小所述碳納米管之間的間距，使得所述初始碳納米管陣列致密化；所述碳納米管陣列中的碳納米管的面密度為55g/m²～165g/m²；

過渡層，位于所述端面上，所述過渡層的材料選自金、鈦及鉑中的至少一種，所述過渡層的厚度為100nm～1000nm；及

浸潤層，位于所述過渡層上，所述浸潤層的材料為低熔點金屬，所述低熔點金屬的熔點為29.8℃～300℃。

2.根據權利要求1所述的碳納米管導熱片，其特征在于，所述碳納米管導熱片的厚度為100μm～10000μm。

3.根據權利要求1所述的碳納米管導熱片，其特征在于，所述浸潤層的厚度為10μm～50μm。

4.根據權利要求1～3任一項所述的碳納米管導熱片，其特征在于，所述浸潤層的材料為熔點為29.8℃～160℃的金屬。

5.根據權利要求1所述的碳納米管導熱片，其特征在于，所述浸潤層的材料選自銦、鎵及鉍中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的碳納米管導熱片，其特征在于，所述過渡層為一個金屬膜層或多個金屬膜層層疊而成。

7.根據權利要求1～3及5～6任一項所述的碳納米管導熱片，其特征在于，所述碳納米管陣列具有第一面和與所述第一面背對設置的第二面，所述第一面上依次層疊有所述過渡層和所述浸潤層，所述第二面上也依次層疊有所述過渡層和所述浸潤層。

8.一種碳納米管導熱片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基底上形成初始碳納米管陣列，沿垂直于碳納米管的延伸方向的方向擠壓所述初始碳納米管陣列，以減小所述碳納米管之間的間距，使得所述初始碳納米管陣列致密化，得到碳納米管陣列；

在所述碳納米管陣列上形成過渡層，其中：所述碳納米管陣列由多根碳納米管定向排列而成，所述碳納米管具有端面，所述碳納米管陣列中的碳納米管的面密度為55g/m²～165g/m²，所述過渡層位于所述端面上，所述過渡層的材料選自金、鈦及鉑中的至少一種，所述過渡層的厚度為100nm～1000nm；及

在所述過渡層上形成浸潤層，所述浸潤層的材料為低熔點金屬，所述低熔點金屬的熔點為29.8℃～300℃。

9.根據權利要求8所述的碳納米管導熱片的制備方法，其特征在于，所述初始碳納米管陣列由多根碳納米管定向排列而成，所述初始碳納米管陣列中的碳納米管的面密度為10g/m²～30g/m²。

10.根據權利要求8所述的碳納米管導熱片的制備方法，其特征在于，所述在所述過渡層上形成浸潤層的步驟包括：

將低熔點金屬置于所述過渡層上；及

在還原性氣氛或惰性氣氛下，加熱所述低熔點金屬，使所述低熔點金屬熔化并浸潤所述碳納米管陣列。