[發明專利]柔性顯示面板及其制備方法和顯示裝置在審
| 申請號: | 202010968031.1 | 申請日: | 2018-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN112038386A | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 崔志遠 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505 | 代理人: | 秦衛中 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明提供了一種柔性顯示面板及其制備方法和顯示裝置。該柔性顯示面板包括:第一導電性層組;形成在第一導電性層組上的發光層組,該發光層組包括像素定義層和與像素定義層相匹配的發光層;以及第二導電性層組,形成在發光層組上,其中,像素定義層包括層疊的第一子像素定義層和第二子像素定義層,發光層位于第一子像素定義層限定的開口內,第二子像素定義層覆蓋第一子像素定義層的頂部部分,第二子像素定義層在第一導電性層組所在面上的正投影與開口的一部分在第一導電性層組所在面上的正投影重疊,第二子像素定義層與第二導電性層組緊密結合且為無機層,無機層周向地緊密包圍第二導電性層組的容納于開口中的部分并且延伸至與發光層接觸。
本申請是申請日為2018年6月19日、名稱為“柔性顯示面板及其制備方法和顯示裝置”和申請號為201810629944.3的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種柔性顯示面板及其制備方法和顯示裝置。
背景技術
對于需要重復折疊的使用環境來說,柔性顯示面板天然具有良好的適應性,使得柔性顯示面板具有廣泛的應用領域。現有技術中,在柔性顯示面板的使用過程中,陰極層容易發生脫落,因此,造成顯示異常。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例提供了一種柔性顯示面板及其制備方法和顯示裝置,能夠解決柔性顯示面板使用過程中,陰極層脫落的缺陷,從而能解決顯示異常的問題。這特別適用于有源矩陣有機發光二極管(AMOLED)。
本發明的一個方面提供一種柔性顯示面板,包括:第一導電性層組;形成在第一導電性層組上的發光層組,該發光層組包括像素定義層和與像素定義層相匹配的發光層;以及第二導電性層組,形成在發光層組上,其中,像素定義層包括層疊的第一子像素定義層和第二子像素定義層,第二子像素定義層與第二導電性層組緊密結合。
在本發明的一個實施例中,第二導電性層組包括層疊的第一子導電層和第二子導電層,第一子導電層和發光層由第一子像素定義層包圍,第二子像素定義層處于第一子像素定義層上并部分地覆蓋第一子導電層。
在本發明的一個實施例中,第一子像素定義層的厚度為發光層和第一子導電層的厚度之和。
在本發明的一個實施例中,第二子像素定義層的厚度小于第一子像素定義層的厚度。
在本發明的一個實施例中,第一子像素定義層和第二子像素定義層由相同的材料制成。
在本發明的一個實施例中,第二子像素定義層為無機層并且覆蓋第一子像素定義層的頂部部分,無機層周向地緊密包圍第一子導電層;優選地,無機層延伸至與發光層接觸。
在本發明的一個實施例中,第二子導電層處于第一子導電層上并且覆蓋了像素定義層。
在本發明的一個實施例中,第一導電性層組為陣列基板,第二導電性層組為陰極層。
本發明的另一個方面提供一種顯示裝置,包括如上所述的柔性顯示面板。
本發明的再一個方面提供一種柔性顯示面板的制備方法,包括:在襯底上形成第一導電性層組;在第一導電性層組上形成具有開口的第一子像素定義層;在第一子像素定義層的開口內形成發光層;在發光層上形成第二導電性層組;以及在第一子像素定義層上形成第二子像素定義層,其中,第二像素定義層與第二導電性層組緊密結合。
根據本發明實施例提供的技術方案,通過采用第二子像素定義層的結構,增加了第二子像素定義層對第二導電性層組的壓合力,因此,避免了第二導電性層組和發光層的分離,并進一步提升了柔性顯示面板的顯示效果。
應當理解的是,以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本發明。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





