[發明專利]一種嵌入式耐高溫透明導電薄膜、其制備方法及應用

有效

• 申請號: 202010967804.4
• 申請日: 2020-09-15
• 公開（公告）號: CN112053800B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 錢凱;孫博文
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B1/02;H01B13/00
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 李箏

1.一種嵌入式耐高溫透明導電薄膜，其特征在于，所述導電薄膜的一個表面具有納米銀層，所述納米銀呈現咖啡環結構并嵌入于柔性襯底中；

所述柔性襯底為聚酰亞胺薄膜，所述聚酰亞胺薄膜的厚度為10-1000 μm；

所述納米銀的直徑為10-100 nm，納米銀的長度為10-500 μm。

2.權利要求1所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：向聚合物薄膜噴覆納米銀溶液，待納米銀干燥后再旋涂一層液態柔性襯底，加熱使液態柔性襯底固化，冷卻后將導電薄膜與聚合物薄膜剝離得到所述導電薄膜；

所述聚合物薄膜為聚酰亞胺薄膜，所述柔性襯底也是聚酰亞胺薄膜。

3.如權利要求2所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米銀溶液為納米銀的水溶液、有機溶液或水與有機溶液的混合液。

4.如權利要求3所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述有機溶液為納米銀的IPA、乙醇或甲醇溶液；所述納米銀溶液的濃度為0.001-10 mg/ml。

5.如權利要求3所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米銀溶液通過噴槍噴覆于聚合物薄膜表面。

6.如權利要求5所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述噴槍的噴嘴的直徑為0.1-10 mm，噴嘴到PI薄膜的距離為1-100 cm，載運氣體為惰性氣體，所述惰性氣體為高純空氣、氮氣或氬氣。

7.如權利要求2所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述液態柔性襯底中固化量為5~50%。

8.如權利要求2所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述加熱溫度為60-350℃。

9.如權利要求2所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述加熱時間為20-120min。

10.如權利要求2所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述加熱采用烘干的方式；將旋涂后的薄膜材料置于烘箱中待液態柔性襯底固化。

11.權利要求1所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜在信息、能源、醫療及國防領域的應用。

12.如權利要求11所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜在信息、能源、醫療及國防領域的應用，其特征在于，所述信息方面的應用包括為制備電子顯示器、電子儲存材料、觸控材料或印刷設備。

13.如權利要求11所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜在信息、能源、醫療及國防領域的應用，其特征在于，所述醫療領域的應用為制備柔性可穿戴醫療設備。

14.如權利要求11所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜在信息、能源、醫療及國防領域的應用，其特征在于，所述能源領域的應用為在薄膜太陽能電池、冶金設備及熱處理設備制備中的應用。

15.如權利要求11所述嵌入式耐高溫透明導電薄膜在信息、能源、醫療及國防領域的應用，其特征在于，所述國防領域的應用為在航空航天領域的應用。