[發(fā)明專利]銥配合物、發(fā)光元件、顯示裝置、電子設備以及照明裝置

在審

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• 申請日: 2016-06-10
• 公開（公告）號: CN112038496A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設計）人: 瀨尾哲史;渡部剛吉;井上英子;山田唯;光森智美;高橋辰義;原朋香
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;C07F15/00;C09K11/06;H01L27/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 劉多益;胡燁

1.一種發(fā)光裝置，包括：

第一有機化合物；

第二有機化合物；以及

客體材料，

其中，所述第一有機化合物的LUMO能級低于所述第二有機化合物的LUMO能級，

其中，所述第一有機化合物的HOMO能級低于所述第二有機化合物的HOMO能級，

其中，所述客體材料將三重激發(fā)能轉換為發(fā)光，

其中，所述第一有機化合物和所述第二有機化合物形成激基復合物，

其中，所述客體材料的LUMO能級和所述客體材料的HOMO能級之間的能量差大于所述第一有機化合物的LUMO能級和所述第二有機化合物的HOMO能級之間的能量差，并且

其中，所述第一有機化合物的LUMO能級和所述第二有機化合物的HOMO能級之間的能量差大于或等于從所述客體材料的吸收端得到的遷移能量。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，

其中，所述客體材料的LUMO能級高于所述第一有機化合物的LUMO能級，并且

其中，所述客體材料的HOMO能級低于所述第二有機化合物的HOMO能級。

3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述客體材料的發(fā)射光譜在400nm以上且小于505nm的波長區(qū)域中具有至少一個峰值。

4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述客體材料的HOMO能級高于所述第一有機化合物的HOMO能級。

5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，

其中，所述客體材料包含配位于銥的配體，并且

其中，所述配體包含含氮五元雜環(huán)骨架和氰基。

6.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光裝置，其中，所述含氮五元雜環(huán)骨架是三唑骨架。

7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，

其中，所述第一有機化合物包含缺π電子型芳雜環(huán)骨架，并且

其中，所述第二有機化合物包含富π電子型芳雜環(huán)骨架和芳香族胺骨架中的至少一個。

8.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，

其中，所述客體材料的LUMO能級和所述客體材料的HOMO能級之間的能量差比從所述客體材料的吸收端得到的遷移能量大0.4eV以上。

9.一種發(fā)光裝置，包括：

第一有機化合物；

第二有機化合物；以及

客體材料，

其中，所述第一有機化合物的LUMO能級低于所述第二有機化合物的LUMO能級，

其中，所述第一有機化合物的HOMO能級低于所述第二有機化合物的HOMO能級，

其中，所述客體材料將三重激發(fā)能轉換為發(fā)光，

其中，所述第一有機化合物和所述第二有機化合物形成激基復合物，

其中，所述客體材料的LUMO能級和所述客體材料的HOMO能級之間的能量差大于所述第一有機化合物的LUMO能級和所述第二有機化合物的HOMO能級之間的能量差，并且

其中，所述第一有機化合物的LUMO能級和所述第二有機化合物的HOMO能級之間的能量差大于或等于所述客體材料的發(fā)光能量。

10.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光裝置，

其中，所述客體材料的LUMO能級高于所述第一有機化合物的LUMO能級，并且

其中，所述客體材料的HOMO能級低于所述第二有機化合物的HOMO能級。

11.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光裝置，其中，所述客體材料的發(fā)射光譜在400nm以上且小于505nm的波長區(qū)域中具有至少一個峰值。

12.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光裝置，其中，所述客體材料的HOMO能級高于所述第一有機化合物的HOMO能級。