[發(fā)明專利]一種DBC基板兩面銅箔同時燒結時用的墊板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010966575.4 | 申請日： | 2020-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN112142498B | 公開（公告）日： | 2022-07-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 祝林;賀賢漢;戴洪興 | 申請（專利權）人： | 上海富樂華半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C04B41/89 | 分類號： | C04B41/89 |
| 代理公司： | 上海申浩律師事務所 31280 | 代理人： | 陸葉 |
| 地址： | 200444 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 dbc 兩面 銅箔 同時 燒結 墊板 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種DBC基板兩面銅箔同時燒結時用的墊板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟，
步驟一，SiC陶瓷板表面預處理，粗糙度Ra為0.1～0.5μm；
步驟二，SiC陶瓷板上熔射氧化鋁粉，形成氧化鋁熔射層；
步驟三，MgO溶液噴在氧化鋁熔射層上，高溫燒結，形成MgO燒結層；
步驟二，熔射溫度為580℃～620℃；
步驟三中，MgO溶液是MgO粉以及酒精混合而成，所述MgO溶液濃度為50％～70％；
步驟三中，燒結溫度為1050℃～1150℃；燒結時間為3小時；MgO燒結層厚度為1～10μm。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種DBC基板兩面銅箔同時燒結時用的墊板的制備方法，其特征在于，所述SiC陶瓷板的長度為195mm～210mm，寬度為140mm～150mm。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種DBC基板兩面銅箔同時燒結時用的墊板的制備方法，其特征在于，步驟一，SiC陶瓷板精磨處理。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種DBC基板兩面銅箔同時燒結時用的墊板的制備方法，其特征在于，所述氧化鋁熔射層的厚度為15～25μm。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種DBC基板兩面銅箔同時燒結時用的墊板的制備方法，其特征在于，所述SiC陶瓷板的厚度為1mm～5mm。
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