[發明專利]圖像傳感器在審
| 申請號: | 202010966490.6 | 申請日: | 2020-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN113363267A | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發明(設計)人: | 樸泰奎 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 劉久亮;黃綸偉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,所述圖像傳感器包括:
傳感器像素的陣列,所述傳感器像素的陣列用于檢測入射光以輸出指示所述入射光的圖像的像素信號;
多個濾色器,所述多個濾色器分別形成在所述傳感器像素上方以分別對入射到所述傳感器像素的光進行過濾;
柵格,所述柵格設置在所述多個濾色器之間以形成相鄰的傳感器像素之間的邊界;
第一反射層,所述第一反射層設置在所述柵格的上部上方,并且被圖案化為包括在相鄰的傳感器像素之間的邊界處的第一反射結構以反射光;以及
第二反射層,所述第二反射層設置在所述第一反射層上方并且與所述第一反射層間隔開,并且所述第二反射層被圖案化為包括在相鄰的傳感器像素之間的邊界處的第二反射結構以反射光,并且每個第二反射結構被形成為有角形狀,以將入射到相鄰的傳感器像素之間的邊界的光引導到相鄰的傳感器像素中。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第二反射結構的所述有角形狀被構造為使得光通過在所述第一反射層中的每個第一反射結構和在所述第二反射層中的對應的第二反射結構處的相繼反射而被引導到所述圖像傳感器中的光電轉換元件。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述柵格包括:
第一柵格和第二柵格,所述第一柵格包括第一材料并且設置在包括第二材料的所述第二柵格上,所述第一材料不同于所述第二材料。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第一反射結構包括具有預定斜率的傾斜表面。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第二反射層設置在形成于所述濾色器上方的上覆層和設置于所述濾色器上方的微透鏡之間。
6.根據權利要求5所述的圖像傳感器,所述圖像傳感器還包括:
低折射率層,所述低折射率層形成為由所述第二反射層和所述上覆層限定的形狀,并且包括低折射率材料。
7.根據權利要求6所述的圖像傳感器,其中,所述低折射率材料包括空氣。
8.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第二反射結構包括:
第一表面,所述第一表面在第一側,并且被形成為相對于形成在所述濾色器上方的上覆層具有第一角度;以及
第二表面,所述第二表面在與所述第一側相對的第二側,并且被形成為相對于所述上覆層具有第二角度。
9.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其中,
所述第一角度和所述第二角度彼此相同。
10.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其中,
所述第一反射結構的中心線與所述第二反射結構的中心線相同。
11.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其中,
在所述傳感器像素的陣列的在第一側的第一邊緣區域中,所述第一角度小于所述第二角度。
12.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其中,
在所述傳感器像素的陣列的在第一側的第一邊緣區域中,所述第一反射結構的中心線相對于所述第二反射結構的中心線位于第二側。
13.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其中,
在所述傳感器像素的陣列的在第一側的第一邊緣區域中,所述第一表面的長度比所述第二表面的長度長。
14.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其中,
在所述傳感器像素的陣列的在第二側的第二邊緣區域中,所述第二角度小于所述第一角度。
15.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其中,
在所述傳感器像素的陣列的在第二側的第二邊緣區域中,所述第一反射結構的中心線相對于所述第二反射結構的中心線位于第一側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





