[發明專利]一種基于光學微帶天線非對稱集成的二維材料探測器在審
| 申請號： | 202010965512.7 | 申請日： | 2020-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN112242456A | 公開（公告）日： | 2021-01-19 |
| 發明（設計）人： | 周靖;郭尚坤;余宇;嵇兆煜;代旭;鄧杰;陳效雙;蔡清元;儲澤世;李方哲;蘭夢珂 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/101 | 分類號： | H01L31/101;H01L31/0232;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 上海滬慧律師事務所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 光學 微帶 天線 對稱 集成 二維 材料 探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于光學微帶天線非對稱集成的二維材料探測器，其特征在于：
所述的探測器結構自下到上依次為金屬反射面(1)、介質間隔層(2)、二維活性材料層(3)、源電極(4)、金屬柵條集成的漏電極(5)；金屬柵條集成的漏電極(5)、介質間隔層(2)和金屬反射面(1)一起構成光學微帶天線；
所述的金屬反射面(1)是一層金屬反射層，金屬反射層的厚度h1不小于電磁波在該金屬中趨膚深度的兩倍；金屬反射面(1)同時可以作為靜電柵控石墨烯的柵極；其材質為高導電性的金屬；
所述的介質間隔層(2)是一層工作波段透明的介質，介質厚度h2要小于探測波長的四分之一；
所述的二維活性材料(3)為具有原子級縱向尺度的材料；
所述的源電極(4)以及金屬柵條集成的漏電極(5)，是一層高導電性的金屬，金屬厚度h3不小于電磁波在該金屬中趨膚深度的兩倍，通過柵條周期P、柵條線寬W、柵條長度L1和溝道長度L2來確定其結構,其中L1等于L2/2，P為光波長的四分之一到二分之一，W為P的三分之一到二分之一。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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