[發(fā)明專利]一種低介電常數(shù)OCA光學(xué)材料及制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010965302.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-15
• 公開（公告）號(hào): CN112194995A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 滕祥秀;華永軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州桐力光電股份有限公司
• 主分類號(hào): C09J7/30
• 分類號(hào): C09J7/30;C09J7/25;C09J183/07;C09J183/05;C09J183/04;C09J177/00;C09J179/08;C09J123/08;C09J11/06
• 代理公司: 蘇州翔遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32251
• 代理人: 王華

1.一種低介電常數(shù)OCA光學(xué)材料，其特征在于：包括依次層疊的第一離型膜層、第一有機(jī)硅材料層、低K值薄膜、第二有機(jī)硅材料層和第二離型膜層；所述第一有機(jī)硅材料層和第二有機(jī)硅材料層的原料配方包括下列重量份的原料：

乙烯基硅油 50-100重量份；

乙烯基硅樹脂 10-50重量份；

含氫硅油 10-50重量份；

含氫硅樹脂 10-20重量份；

低K值樹脂 10-30重量份；

添加劑 0-5重量份；

穩(wěn)定劑 0-1重量份；

催化劑 0-1重量份；

所述低K值樹脂為非極性樹脂，所述非極性樹脂為聚硅氧烷、聚烯烴樹脂、聚酰胺、聚酰亞胺和聚苯并惡嗪中的至少一種；所述低K值薄膜為硅基低K值薄膜，所述硅基低K值薄膜為倍半硅氧烷基多孔薄膜、二氧化硅基多孔薄膜、多孔硅薄膜和多孔SiCOH薄膜中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)OCA光學(xué)材料，其特征在于：所述第一離型膜層和第二離型膜層的材料均為氟素離型膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)OCA光學(xué)材料，其特征在于：所述乙烯基硅油為乙烯基封端的聚二甲基硅油，其分子式為：（ViMe₃SiO_1/2）₂（Me₂SiO）_n，Vi代表乙烯基，Me代表甲基，n=10~100。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)OCA光學(xué)材料，其特征在于：所述乙烯基硅樹脂為乙烯基封端的MQ硅樹脂，其分子式為：（ViMe₂SiO_1/2）_m（MeSiO_3/2）_n，Vi代表乙烯基，Me代表甲基，n/m≥2。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)OCA光學(xué)材料，其特征在于：所述含氫硅油為硅氫基團(tuán)封端的聚二甲基硅油，其分子式為：（HMe₂SiO_1/2）₂（Me₂SiO_1/2）_m，Me代表甲基，m=1~10。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)OCA光學(xué)材料，其特征在于：所述含氫硅樹脂為硅氫基團(tuán)封端的MT或MQ樹脂，其分子式為：（HMe₂SiO_1/2）₃（Me₂SiO_1/2）_m（MeSiO_3/2）_n，其中，Me代表甲基，m/n≥1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)OCA光學(xué)材料，其特征在于：所述聚硅氧烷的分子式為：（Me₃SiO_1/2）_m（MeSiO_3/2）_n，Me代表甲基，n/m≥2；聚烯烴樹脂為線性低密度聚乙烯。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)OCA光學(xué)材料，其特征在于：所述添加劑為碳官能硅烷、碳官能硅氧烷、硅硼增粘劑和改性硅油中的至少一種。