[發明專利]半導體裝置和制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202010965101.8
• 申請日: 2020-09-15
• 公開（公告）號: CN112670272A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: L·S·素賽;鄭楚書;黃永超;彭路露;Z·A·賽義德穆罕默德;N·約索克莫羅
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L23/52;H01L21/48
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板；

保護區域，其位于該基板上方，該保護區域包括抗化學溶液蝕刻的保護材料；以及

核心結構，其由該保護區域包圍，該核心結構包括可被該化學溶液蝕刻的核心材料；

其中，該核心結構具有第一側和相對于該第一側的第二側，該第一側比該第二側更靠近該基板，該核心結構在該核心結構的第一側最窄。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該核心結構為磁。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該核心材料包括鈷鋯鉭、鈷鋯鉭硼、鐵鈷硼和鎳鐵中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該第一側和該第二側之間的距離至少為3um。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該保護材料包括光敏聚酰亞胺。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該第一側和該第二側中的每一個至少基本上是平面的，并且至少基本上彼此平行。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該核心結構在該第一側和該第二側之間的平面處最寬。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，該最寬的平面從該最寬的平面的外圍向該第二側逐漸變細，且其中，該最寬的平面在距離該外圍的一距離處朝該第一側逐漸變細。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該裝置還包括：

電導體區域，其位于該基板和該保護區域之間；

其中，該電導體區域至少部分地設置在該核心結構下方。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置為電感器，其中，該核心結構為磁。

11.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，該方法包括：

形成保護區域于基板上方，該保護區域包括抗化學溶液蝕刻的保護材料；以及

形成由該保護區域包圍的核心結構，該核心結構包括可被該化學溶液蝕刻的核心材料；

其中，該核心結構具有第一側和相對于該第一側的第二側，該第一側比該第二側更靠近該基板，且該核心結構在該第一側處最窄。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，形成該保護區域包括：

在形成核心結構之前，形成該保護區域的第一層于該基板上方，該第一層包括用于容納該核心結構的腔體；以及

在形成該核心結構之后，形成該保護區域的第二層于該核心結構和該第一層上方。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，形成該核心結構包括：

沉積該核心材料于該第一層上方并進入該腔體；

圖案化蝕刻掩模于該核心材料上方；以及

使用該化學溶液蝕刻該核心材料。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，該保護區域的該第一層保護該核心結構的側壁在該核心材料的蝕刻期間不被該化學溶液橫向蝕刻。

15.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，該蝕刻掩模比該腔體更寬。

16.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，該核心結構在該第一側和該第二側之間的平面處最寬，其中，該最寬的平面從該最寬的平面的外圍朝該第二側逐漸變細，且其中，該最寬的平面在距離該外圍的一距離處朝該第一側逐漸變細。

17.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，該核心材料包括鈷鋯鉭、鈷鋯鉭硼、鐵鈷硼和鎳鐵中的至少一種。