[發明專利]用于電池保護的半導體器件

在審

• 申請號: 202010963596.0
• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN112289793A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 周號
• 申請（專利權）人: 珠海邁巨微電子有限責任公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78;H02J7/00
• 代理公司: 北京庚致知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11807
• 代理人: 李偉波;韓德凱

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

第一元胞區，所述第一元胞區形成有第一場效應晶體管；

第二元胞區，所述第二元胞區形成有第二場效應晶體管，所述第二場效應晶體管作為第一開關，所述第一開關用于控制所述第一場效應晶體管的源極與襯底之間的連通與斷開；以及

第三元胞區，所述第三元胞區形成有第二開關，所述第二開關用于控制所述第一場效應晶體管的柵極與漏極之間的連通與斷開；

其中，第一元胞區、第二元胞區以及第三元胞區依次形成，第二元胞區形成在所述第一元胞區與所述第三元胞區之間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一元胞區包括源極區、襯底電極區、柵極區以及漏極區，所述第一元胞區中形成第一寄生二極管和第二寄生二極管，所述第一寄生二極管和所述第二寄生二極管構成反向串聯結構，所述第一寄生二極管及所述第二寄生二極管形成在源極區與漏極區之間，第一元胞區中形成的所述第一寄生二極管以及第二寄生二極管的銜接區域至少形成在襯底電極區上。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第二元胞區包括源極區、襯底電極區、柵極區以及漏極區，所述第二元胞區形成的所述第二場效應晶體管具有第四寄生二極管(D4)，所述第四寄生二極管形成在所述第二場效應晶體管的源極區與襯底電極區之間。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第三元胞區包括柵極區以及漏極區，在所述第三元胞區的漏極區與柵極區之間形成第三寄生二極管和電阻，所述第三寄生二極管和所述電阻構成串聯結構。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述第一元胞區、所述第二元胞區以及所述第三元胞區共用襯底。

6.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一場效應晶體管為NMOS晶體管；

所述第一元胞區包括源極區、襯底電極區、柵極區以及漏極區，所述襯底電極區包括第一襯底電極區和第二襯底電極區；所述第一元胞區包括P型襯底以及介質層，所述P型襯底與所述介質層之間至少形成N型漂移區，所述N型漂移區中形成有P型阱區，所述P型阱區中至少形成第一P型高摻雜區，所述P型襯底中形成第二P型高摻雜區，所述第一襯底電極區形成在所述介質層中，所述第一襯底電極區與所述第一P型高摻雜區接觸，所述第二襯底電極區形成在所述介質層上，所述第二襯底電極區的至少一部分穿過所述介質層與所述第二P型高摻雜區接觸，所述P型阱區與所述P型襯底通過所述N型漂移區間隔，所述P型阱區中形成有N型阱區，所述N型阱區中形成有第一N型高摻雜區，所述第一N型高摻雜區與所述P型阱區通過所述N型阱區間隔，所述N型漂移區中形成有第二N型高摻雜區，所述源極區形成在所述介質層上，所述源極區的至少一部分穿過所述介質層與所述第一N型高摻雜區接觸，所述漏極區形成在所述介質層上，所述漏極區的至少一部分穿過所述介質層與所述第二N型高摻雜區接觸，所述柵極區形成在所述介質層中。