[發明專利]倒裝發光二極管芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 202010963283.5
• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN112289915B
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 蘭葉;王江波;吳志浩;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種倒裝發光二極管芯片，所述倒裝發光二極管芯片包括透明基板(10)、第一型半導體層(21)、有源層(22)、第二型半導體層(23)、第一型電極(31)、第二型電極(32)、絕緣層(40)、第一型焊盤(51)和第二型焊盤(52)；所述第一型半導體層(21)、所述有源層(22)、所述第二型半導體層(23)依次層疊在所述透明基板(10)上，所述第二型半導體層(23)上設有延伸至所述第一型半導體層(21)的凹槽(110)；所述第一型電極(31)設置在所述凹槽(110)內的第一型半導體層(21)上，所述第二型電極(32)設置在所述第二型半導體層(23)上；所述絕緣層(40)鋪設在所述凹槽(110)內和所述第二型半導體層(23)上，所述絕緣層(40)內具有延伸至所述第一型電極(31)的第一通孔(210)和延伸至所述第二型電極(32)的第二通孔(220)；所述第一型焊盤(51)設置在所述第一通孔(210)內和所述第一通孔(210)周圍的絕緣層(40)上，所述第二型焊盤(52)設置在所述第二通孔(220)內和所述第二通孔(220)周圍的絕緣層(40)上；

其特征在于，所述第一型焊盤(51)和所述第二型焊盤(52)均包括依次層疊的粘附反光層(61)、擴散阻擋層(62)和焊接層(63)；所述粘附反光層(61)包括交替層疊的n+1個Ti層(611)和n個Al層(612)，n為正整數；所述擴散阻擋層(62)包括依次層疊的第一TiMo層(621)和第二TiMo層(622)，所述第一TiMo層(621)中Mo組分的含量大于所述第二TiMo層(622)中Mo組分的含量；所述焊接層(63)為Au層，所述焊接層(63)的厚度為1500埃～2500埃；

所述第二型半導體層(23)上還設有延伸至所述透明基板(10)的環形槽(120)，所述第一型半導體層(21)位于所述環形槽(120)的內環內；所述倒裝發光二極管芯片還包括金屬環(70)，所述金屬環(70)設置在所述環形槽(120)內。

2.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管芯片，其特征在于，所述第一TiMo層(621)中Mo組分的含量為30％～80％，所述第二TiMo層(622)中Mo組分的含量為10％～60％。

3.根據權利要求1或2所述的倒裝發光二極管芯片，其特征在于，所述第一TiMo層(621)的厚度小于所述第二TiMo層(622)的厚度。

4.根據權利要求3所述的倒裝發光二極管芯片，其特征在于，所述第一TiMo層(621)的厚度為2500埃～3500埃，所述第二TiMo層(622)的厚度為9000埃～11000埃。

5.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管芯片，其特征在于，所述金屬環(70)與所述透明基板(10)的邊緣之間的最短距離，為所述第一型半導體層(21)與所述透明基板(10)的邊緣之間的最短距離的1/3～1/2。

6.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管芯片，其特征在于，所述金屬環(70)為Al層。

7.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管芯片，其特征在于，所述金屬環(70)的厚度為400埃～600埃。

8.一種倒裝發光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一透明基板，所述透明基板上依次層疊有第一型半導體層、有源層和第二型半導體層；

在所述第二型半導體層上開設延伸至所述第一型半導體層的凹槽；

在所述凹槽內的第一型半導體層上設置第一型電極，在所述第二型半導體層上設置第二型電極；

在所述凹槽內和所述第二型半導體層上形成絕緣層，所述絕緣層內具有延伸至所述第一型電極的第一通孔和延伸至所述第二型電極的第二通孔；

在所述第一通孔內和所述第一通孔周圍的絕緣層上設置第一型焊盤，在所述第二通孔內和所述第二通孔周圍的絕緣層上設置第二型焊盤；所述第一型焊盤和所述第二型焊盤均包括依次層疊的粘附反光層、擴散阻擋層和焊接層；所述粘附反光層包括交替層疊的n+1個Ti層和n個Al層，n為正整數；所述擴散阻擋層包括依次層疊的第一TiMo層和第二TiMo層，所述第一TiMo層中Mo組分的含量大于所述第二TiMo層中Mo組分的含量；所述焊接層為Au層，所述焊接層(63)的厚度為1500埃～2500埃；

所述制作方法還包括：

在所述第二型半導體層上開設延伸至所述透明基板的環形槽，所述第一型半導體層位于所述環形槽的內環內；

在所述環形槽內設置金屬環。