[發(fā)明專利]一種力學(xué)傳感器用鈮酸鋰單晶薄膜圖形化刻蝕方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010962862.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-14
• 公開（公告）號(hào): CN112125276A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丑修建;畢開西;薛剛;耿文平;張樂;楊翔宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中北大學(xué)
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00;B81B7/02;H01L41/332
• 代理公司: 上海百一領(lǐng)御專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31243
• 代理人: 楊孟娟

1.一種力學(xué)傳感器用鈮酸鋰單晶薄膜圖形化刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕方法包括：

制作鈮酸鋰薄膜；

清洗上述鈮酸鋰薄膜；

在上述鈮酸鋰薄膜表面涂覆光刻膠或?yàn)R射金屬薄膜，使用紫外光刻技術(shù)得到刻蝕用掩膜層；

使用丙酮浸泡鈮酸鋰薄膜，剝離薄膜表面光刻膠；

使用離子束刻蝕機(jī)對(duì)鈮酸鋰薄膜刻蝕；

將刻蝕后薄膜進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)清洗清除表面光刻膠殘留獲得鈮酸鋰薄膜圖形化結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，在上述的制作鈮酸鋰薄膜中，包括：離子注入鈮酸鋰晶片形成損傷層，與帶有氧化層的硅片直接鍵合，高溫退火剝離，化學(xué)-機(jī)械拋光，得到集成于硅片上的鈮酸鋰薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，上述的鈮酸鋰薄膜厚度應(yīng)大于等于4μm且小于等于5μm，所述鈮酸鋰薄膜厚度小于上述掩膜層的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，在上述的在上述鈮酸鋰薄膜表面涂覆光刻膠或?yàn)R射金屬薄膜，使用紫外光刻技術(shù)得到刻蝕用掩膜層中，包括：所述光刻膠的厚度大于5μm且小于10μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的刻蝕方法，其特征在于，在上述的在上述鈮酸鋰薄膜表面涂覆光刻膠或?yàn)R射金屬薄膜，使用紫外光刻技術(shù)得到刻蝕用掩膜層中，還包括：將光刻膠于120℃的熱板上烘30min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，在上述的在上述鈮酸鋰薄膜表面涂覆光刻膠或?yàn)R射金屬薄膜，使用紫外光刻技術(shù)得到刻蝕用掩膜層中，包括：所述金屬薄膜的厚度應(yīng)大于等于7μm且小于等于15μm；所述金屬薄膜采用電鍍Ni或磁控濺射Cr形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的刻蝕方法，其特征在于，在上述的在上述鈮酸鋰薄膜表面涂覆光刻膠或?yàn)R射金屬薄膜，使用紫外光刻技術(shù)得到刻蝕用掩膜層中，還包括：在鈮酸鋰薄膜表面生長(zhǎng)20nmTi種子層或粘附層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，在上述的在上述鈮酸鋰薄膜表面涂覆光刻膠或?yàn)R射金屬薄膜，使用紫外光刻技術(shù)得到刻蝕用掩膜層中，還包括：所述光刻膠的厚度大于所述金屬薄膜的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，在上述的清洗上述鈮酸鋰薄膜中，包括：采用RCA 1#清洗液清洗，其中，上述RCA 1#清洗液包括，NH₃·H₂O∶H₂O₂∶H₂O＝1∶3∶7或NH₃·H₂O∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶7。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或9所述的刻蝕方法，其特征在于，在上述的將刻蝕后薄膜進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)清洗清除表面光刻膠殘留獲得鈮酸鋰薄膜圖形化結(jié)構(gòu)中，包括：依次采用丙酮、異丙醇、無水乙醇以及去離子水分別對(duì)上述鈮酸鋰薄膜進(jìn)行超聲清洗15-20min。