[發(fā)明專利]一種不同形貌結(jié)構(gòu)的CuO納米晶材料的可控制備方法

有效

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• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN111994940B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉曉偉;楊寶朔
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢大學
• 主分類號: C25D11/34
• 分類號: C25D11/34;C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 李丹

1.一種不同形貌結(jié)構(gòu)的CuO納米晶材料的可控制備方法，其特征在于，包含如下步驟：

S1，配制CuSO₄電解液：將五水合硫酸銅晶體、NaCl固體、明膠固體溶解在蒸餾水中，攪拌均勻，得到CuSO₄電解液；

S2，制作生長基底：將圓銅片退火處理，然后進行超聲處理，得到圓銅片生長基底；所述圓銅片的成分為紫銅，直徑為10mm~20mm，厚度為1mm~2mm；

S3，制備CuO納米晶：準備電解反應(yīng)池，電解反應(yīng)池由培養(yǎng)皿、三維移動平臺、精密探針、直流電源組成，開始電解過程，將步驟S1得到的CuSO₄電解液倒入培養(yǎng)皿中，將步驟S2得到的生長基底置于CuSO₄電解液中，通過三維移動平臺將精密探針正對生長基底中心垂直插入電解液并距生長基底一段距離，將直流電源的陽極與生長基底連接，陰極與精密探針連接，通電一段時間后得到上表面生長出CuO納米晶的生長基底；所述精密探針為直徑為0.1mm～1mm的鋼針，與生長基底的垂直距離通過三維移動平臺控制為5mm~10mm；所述直流電源的通電參數(shù)具體為：小片狀為電壓15V～18V，電流0.3A～0.4A，時間2min～6min；大片狀為電壓15V～18V，電流0.3A～0.4A，時間6min～10min；微球狀為電壓18V～20V，電流0.4A～0.6A，時間1min～2min；

S4，后處理：將步驟S3得到的生長出CuO納米晶的生長基底用清洗劑進行清洗，干燥后即得所述的CuO納米晶材料。

2.如權(quán)利要求1所述的不同形貌結(jié)構(gòu)的CuO納米晶材料的可控制備方法，其特征在于：所述步驟S1中CuSO₄電解液中各成分的濃度為：五水合硫酸銅的濃度范圍為50 g/L ~150g/L、NaCl的濃度范圍為5 g/L ~15g/L、明膠的濃度范圍為12 g/L ~16g/L。

3.如權(quán)利要求1所述的不同形貌結(jié)構(gòu)的CuO納米晶材料的可控制備方法，其特征在于：所述步驟S2中退火處理的條件為400℃~600℃下1h~2h，結(jié)束后將圓銅片置入蒸餾水中迅速冷卻。

4.如權(quán)利要求1所述的不同形貌結(jié)構(gòu)的CuO納米晶材料的可控制備方法，其特征在于：所述步驟S2中超聲處理的具體方法為設(shè)定超聲清洗機的工作時間為3min~5min，清洗溫度為25℃~35℃，功率為100%。

5.如權(quán)利要求1所述的不同形貌結(jié)構(gòu)的CuO納米晶材料的可控制備方法，其特征在于：所述步驟S4中清洗劑選為丙酮或無水乙醇。