[發明專利]一種復合光學膜及其制備方法有效
| 申請號: | 202010960927.5 | 申請日: | 2020-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN112086584B | 公開(公告)日: | 2022-05-24 |
| 發明(設計)人: | 劉勇;王芬;周鈺明;卜小海 | 申請(專利權)人: | 南京貝迪新材料科技股份有限公司;東南大學 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 南京禾祁專利代理事務所(普通合伙) 32462 | 代理人: | 孟婕 |
| 地址: | 211100 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 光學 及其 制備 方法 | ||
1.一種復合光學膜的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
步驟S1. 提供一襯底;
步驟S2. 配置光提取層前驅體溶液,所述光提取層前驅體溶液中包括雙親性嵌段共聚物、金屬離子和第一溶劑,所述第一溶劑為非極性溶劑;
步驟S3. 在襯底上形成光提取層前驅體溶液薄膜層;
步驟S4. 在密閉空間內形成第二溶劑氣霧,所述第二溶劑氣霧包括第二溶劑和非金屬離子,所述第二溶劑為極性溶劑;將所述襯底轉移至所述密閉空間內,加熱所述密閉空間使所述第一溶劑和第二溶劑揮發,自組裝固化形成光提取層,所述光提取層具有呈陣列排布的長程有序多孔網狀圖案化結構;所述自組裝固化形成光提取層的過程,所述第二溶劑內的非金屬離子與所述光提取層前驅體溶液內的金屬離子原位反應形成量子點。
2.根據權利要求1所述的復合光學膜的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中,所述襯底直接作為復合光學膜的光耦合層,或者所述襯底的靠近所述光提取層的一側設置有光耦合層。
3.根據權利要求2所述的復合光學膜的制備方法,其特征在于,所述光耦合層的可見光透過率為30%-100%,折射率為1.5-2.0。
4.根據權利要求1所述的復合光學膜的制備方法,其特征在于,所述步驟S2中,所述金屬離子為II族元素或IV族元素所形成的離子,其中,所述II族元素是IIb族元素中的Zn、Cd或Hg,所述IV族元素是IVa族元素中的Pb或Sn。
5.根據權利要求1所述的復合光學膜的制備方法,其特征在于,所述步驟S2中,所述雙親性嵌段共聚物具有與所述金屬離子配位的基團。
6.根據權利要求1所述的復合光學膜的制備方法,其特征在于,所述步驟S4中,所述非金屬離子包括由VI族元素構成的離子,所述VI族元素是VIa族元素中的S、Se或Te。
7.根據權利要求1所述的復合光學膜的制備方法,其特征在于,所述步驟S4中,所述第二溶劑氣霧內的粒徑均勻的小液滴吸附于所述光提取層前驅體溶液薄膜層的薄膜表面;所述自組裝固化形成光提取層的過程,所述雙親性嵌段共聚物以液滴作為模板而形成所述呈陣列排布的長程有序多孔網狀圖案化結構。
8.根據權利要求1所述的復合光學膜的制備方法,其特征在于,所述步驟S4中,所述加熱所述密閉空間的加熱溫度低于所述第一溶劑和所述第二溶劑的沸點。
9.根據權利要求1所述的復合光學膜的制備方法,其特征在于,所述步驟S4中,所述光提取層的可見光透過率為20%-80%,折射率為1.3-1.8。
10.一種復合光學膜,其特征在于,所述復合光學膜由根據權利要求1-9中的任意一項所述的復合光學膜的制備方法制備。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





