[發(fā)明專利]一種顯示面板、陣列基板及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010960411.0
• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN111900129B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳詠波
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G06F3/041
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 劉泳麟

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S10：提供一基板，在所述基板上制備薄膜晶體管層以及觸控信號線，所述觸控信號線與所述薄膜晶體管層中的源/漏極同層設(shè)置；

步驟S20：在所述薄膜晶體管層和所述觸控信號線上制備平坦層，并在所述平坦層上制備觸控電極，其中，所述薄膜晶體管層包括源極和漏極；

步驟S30：在所述平坦層和所述觸控電極上制備鈍化層，并采用同一光罩對所述鈍化層、所述觸控電極以及所述平坦層刻蝕，形成位于所述觸控信號線上方的第一過孔，及位于所述漏極上方的第二過孔；

步驟S40：在所述鈍化層上制備同層且間隔設(shè)置的公共電極和像素電極，其中，所述觸控信號線與所述觸控電極通過所述第一過孔與所述公共電極以橋接的形式實現(xiàn)電連接，所述像素電極通過所述第二過孔與所述漏極電連接，以形成陣列基板。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一過孔暴露部分所述觸控信號線且貫穿所述鈍化層、所述觸控電極以及所述平坦層，所述第二過孔暴露部分所述漏極且貫穿所述鈍化層和所述平坦層。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一過孔在對應(yīng)于所述鈍化層和所述平坦層的開孔直徑大于所述第一過孔在對應(yīng)于所述觸控電極的開孔直徑。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S30包括以下步驟：

步驟S31：在所述鈍化層上制備一光阻層；

步驟S32：采用第一半色調(diào)掩模版對所述光阻層進行曝光、隨后對所述光阻層進行顯影，去除對應(yīng)于所述觸控信號線以及對應(yīng)于所述漏極的所述光阻層；

步驟S33：刻蝕對應(yīng)于所述觸控信號線的所述鈍化層、所述觸控電極以及所述平坦層，同時刻蝕對應(yīng)于所述漏極的所述鈍化層和所述平坦層，分別形成暴露出所述觸控信號線的第一過孔以及暴露出所述漏極的第二過孔；

步驟S34：剝離所述光阻層。

5.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

薄膜晶體管層，設(shè)置于所述基板上方，所述薄膜晶體管層包括源極和漏極；

觸控信號線，設(shè)置于所述薄膜晶體管層上且與所述源/漏極同層設(shè)置；

平坦層，設(shè)置于所述觸控信號線和所述薄膜晶體管層上；

觸控電極，設(shè)置于所述平坦層上；

鈍化層，設(shè)置于所述觸控電極和所述平坦層上；

所述陣列基板還包括第一過孔和第二過孔，所述第一過孔暴露部分所述觸控信號線且貫穿所述鈍化層、所述觸控電極以及所述平坦層，所述第二過孔暴露部分所述漏極且貫穿所述鈍化層和所述平坦層；

公共電極，設(shè)置于所述鈍化層上，所述觸控信號線與所述觸控電極通過所述第一過孔與所述公共電極以橋接的形式實現(xiàn)電連接；以及

像素電極，設(shè)置于所述鈍化層上且與所述公共電極間隔設(shè)置，所述像素電極通過所述第二過孔與所述漏極電連接。

6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔與所述第二過孔通過同一道光罩制程制備形成。

7.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權(quán)利要求5-6任一權(quán)利要求所述的陣列基板。