[發(fā)明專利]一種混合型電源轉(zhuǎn)換器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010960409.3
• 申請(qǐng)日: 2020-09-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112054680B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎向榮;余凱;李思臻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H02M3/158
• 分類號(hào): H02M3/158;H02M1/14
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 楊小紅

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種混合型電源轉(zhuǎn)換器，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一電感、第二電感、第一電容和負(fù)載電容；第一電感的一端分別與第三MOS管的漏極和輸入端相連，另一端分別與第一MOS管的漏極和第二MOS管的第一端相連；第三MOS管的源極分別與第四MOS管的漏極和第一電容的一端相連；第一電容的另一端分別與第二MOS管的第二端和第二電感的一端相連；第二電感的另一端分別與負(fù)載電容的一端和輸出端相連。解決了現(xiàn)有的混合型電源轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)損耗較大導(dǎo)致效率較低，且不能有效地消除右半平面零點(diǎn)對(duì)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的影響導(dǎo)致瞬態(tài)響應(yīng)速度慢的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種混合型電源轉(zhuǎn)換器。

背景技術(shù)

在傳統(tǒng)的直流-直流(DC-DC)電源管理芯片中，電容型轉(zhuǎn)換器擁有能量密度大、靜態(tài)功耗低的優(yōu)點(diǎn)，但也存在轉(zhuǎn)換范圍小、效率低的缺點(diǎn)；而電感型的轉(zhuǎn)換器，可以獲得較高的轉(zhuǎn)換范圍以及效率，但也存在不連續(xù)的輸出電流導(dǎo)致輸出電壓紋波大，以及電路結(jié)構(gòu)中存在的右半平面零點(diǎn)而導(dǎo)致瞬態(tài)響應(yīng)差的問(wèn)題；因而，大量學(xué)者通過(guò)結(jié)合上述兩種轉(zhuǎn)換器優(yōu)點(diǎn)而設(shè)計(jì)出電容電感混合型開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器。

目前，主要的電容電感混合型開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器為DPUC雙路混合型轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，雖然DPUC結(jié)構(gòu)可以通過(guò)降低電感電流從而提高轉(zhuǎn)換范圍，以及獲得連續(xù)輸出電流以降低輸出電壓紋波，但是該結(jié)構(gòu)損耗較大導(dǎo)致效率較低，且不能有效地消除右半平面零點(diǎn)對(duì)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的影響導(dǎo)致瞬態(tài)響應(yīng)速度慢。

因此，提供一種混合型電源轉(zhuǎn)換器是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的目的在于提供一種混合型電源轉(zhuǎn)換器，用于解決現(xiàn)有的混合型電源轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)損耗較大導(dǎo)致效率較低，且不能有效地消除右半平面零點(diǎn)對(duì)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的影響導(dǎo)致瞬態(tài)響應(yīng)速度慢的技術(shù)問(wèn)題。

有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N混合型電源轉(zhuǎn)換器，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一電感、第二電感、第一電容和負(fù)載電容；

所述第一電感的一端分別與所述第三MOS管的漏極和輸入端相連，另一端分別與所述第一MOS管的漏極和所述第二MOS管的第一端相連；

所述第三MOS管的源極分別與所述第四MOS管的漏極和所述第一電容的一端相連；

所述第一電容的另一端分別與所述第二MOS管的第二端和所述第二電感的一端相連；

所述第二電感的另一端分別與所述負(fù)載電容的一端和輸出端相連。

可選地，所述第一MOS管為NMOS管。

可選地，所述第二MOS管為PMOS管或NMOS管。

可選地，當(dāng)所述第二MOS管為PMOS管時(shí)，

所述第二MOS管的漏極分別與所述第一電感的另一端和所述第一MOS管的漏極相連，所述所述第二MOS管的源極分別與所述第一電容的另一端和所述第二電感的一端相連。

可選地，當(dāng)所述第二MOS管為NMOS管時(shí)，

所述第二MOS管的源極分別與所述第一電感的另一端和所述第一MOS管的漏極相連，所述所述第二MOS管的漏極分別與所述第一電容的另一端和所述第二電感的一端相連。

可選地，所述第三MOS管為NMOS管。

可選地，所述第四MOS管為NMOS管。

可選地，所述第一MOS管的源極、所述第四MOS管的源極和所述負(fù)載電容的另一端均接地。