[發明專利]一種制備8英寸籽晶的方法

在審

• 申請號: 202010960344.2
• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN111945220A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02
• 代理公司: 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209
• 代理人: 李曉敏

1.一種制備8英寸籽晶的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、將無缺陷的6英寸碳化硅晶體切割、研磨、拋光制得籽晶薄片；從4片來自同一個碳化硅晶體的籽晶薄片上分別切取半徑為4英寸的直角扇形籽晶薄片，切取時按籽晶薄片晶格排列的相同晶向切割，使4片直角扇形籽晶薄片直徑曲面的晶格結構一致；將4片直角扇形的直徑曲面研磨、拋光得到4片直角扇形籽晶原料；

步驟二、在石墨坩堝蓋上均勻鋪設碳化硅粉，將步驟一所得4片直角扇形籽晶原料以直徑曲面晶格結構一致的順序拼接成一個8英寸籽晶原料，將石墨坩堝蓋和籽晶原料置于1800±10℃、惰性氣體或氮氣保護條件下，保溫一定時間完成籽晶原料與石墨坩堝蓋的粘接，獲得8英寸籽晶與石墨坩堝蓋的復合體；

步驟三、將步驟二所得8英寸籽晶與石墨坩堝蓋的復合體置于PVT長晶爐中加熱后降至室溫，完成退火處理；通過常規氣相沉積法橫向外延生長在8英寸籽晶表面覆蓋一層碳化硅薄膜層，制得無缺陷的8英寸籽晶。

2.根據權利要求1所述一種制備8英寸籽晶的方法，其特征在于，步驟一所述直角扇形籽晶薄片的厚度為2～5mm。

3.根據權利要求1或2所述一種制備8英寸籽晶的方法，其特征在于，步驟二所述碳化硅粉的純度不低于99.999％，所述碳化硅粉的粒徑為150～300μm，所述碳化硅粉鋪設的厚度為0.5～1mm。

4.根據權利要求3所述一種制備8英寸籽晶的方法，其特征在于，步驟二所述惰性氣體為氦氣或氬氣。

5.根據權利要求4所述一種制備8英寸籽晶的方法，其特征在于，步驟二所述保溫時間為10～12h。

6.根據權利要求5所述一種制備8英寸籽晶的方法，其特征在于，步驟三退火時先將8英寸籽晶與石墨坩堝蓋的復合體升溫至1800～2500℃再降溫。