[發明專利]一種Ti5 有效
| 申請號： | 202010960256.2 | 申請日： | 2020-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN112176214B | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發明（設計）人： | 李愛濱;張學習;王桂松;錢明芳;趙颯;宋佳汶;屈偉;耿林 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | C22C1/08 | 分類號： | C22C1/08;C22C14/00;B22F3/11;B22F3/24 |
| 代理公司： | 哈爾濱市陽光惠遠知識產權代理有限公司 23211 | 代理人： | 裴閃閃 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ti base sub | ||
1.一種Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料，其特征在于，該Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料由球形Ti粉和Al-Si合金制備而成，所得Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的孔壁上具有網狀孔隙，網狀孔隙的孔徑為1μm~9μm，所得Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的孔隙率≥58.6%，開孔隙率≥44.8%。
2.如權利要求1所述的一種Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的制備方法，其特征在于，該制備方法按以下步驟進行：
一、無壓浸滲制備Ti-Al復合體：將球形Ti粉松裝在坩堝中，然后將Al-Si合金塊置于球形Ti粉上，將坩堝放入真空爐，于真空條件下升溫至600~650℃，保溫10min~20min，得到Ti-Al復合體；
二、中溫無壓制備通孔：于真空條件下，將真空爐的爐溫由600~650℃升溫至750~850℃，保溫2h~3h，得到具有通孔的多孔材料；
三、高溫熱處理：于真空條件下，將真空爐的爐溫由750~850℃升溫至1000~1200℃，保溫3h~5h，得到通孔的孔壁上形成網狀孔隙的多孔材料，即Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料。
3.根據權利要求2所述的一種Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的制備方法，其特征在于，步驟一中所述球形Ti粉的松裝孔隙率為43.1%~50.0%。
4.根據權利要求2所述的一種Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的制備方法，其特征在于，步驟一中所述球形Ti粉和Al-Si合金塊的質量比為67：（32~34）。
5.根據權利要求2所述的一種Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的制備方法，其特征在于，步驟一中所述Al-Si合金塊中Si的質量含量為3%~7%。
6.根據權利要求2所述的一種Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的制備方法，其特征在于，步驟一中所述升溫的速率為20℃/min~30℃/min。
7.根據權利要求2所述的一種Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的制備方法，其特征在于，步驟一中于真空條件下升溫至630℃，保溫15min。
8.根據權利要求2所述的一種Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的制備方法，步驟二中所述升溫的速率為2℃/min~6℃/min。
9.根據權利要求2所述的一種Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的制備方法，其特征在于，步驟二中于真空條件下升溫至800℃，保溫2.5h。
10.根據權利要求2所述的一種Ti5Si3顆粒增強網狀孔壁的TiAl基多孔材料的制備方法，其特征在于，步驟三中所述升溫的速率為20℃/min~40℃/min。
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