[發明專利]半導體硅片保護層制作方法

有效

• 申請號: 202010958525.1
• 申請日: 2020-09-14
• 公開（公告）號: CN112185825B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 劉希仕;吳長明;姚振海;陳駱;王緒根;朱聯合;劉沖;韓建偉
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種半導體硅片保護層制作方法。半導體硅片保護層制作方法包括：使得半導體硅片在低轉速狀態下勻速旋轉；將黏度范圍為5cp～80cp的光刻膠，滴涂1.5cc～3cc的量于半導體硅片表面的中心；使得半導體硅片在低轉速狀態下保持5s～15s時間，擴大光刻膠的覆蓋面積；在2s～5s時間段內，使得半導體硅片由低速旋轉狀態提升至高速旋轉狀態，甩出多余光刻膠；在高速旋轉狀態，半導體硅片保持25s～45s時間，使得光刻膠的厚度達到8000A～50000A；通過邊緣膠去除工藝，根據預定去邊寬度，去除半導體硅片邊緣位置處的光刻膠。本申請提供的方案可以解決相關技術中無法檢測去邊寬度，影響邊緣膠去除工藝的準確性的問題。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種半導體硅片保護層制作方法。

背景技術

高壓器件對可靠性要求較高，在相關技術中，高壓器件制作工藝最后，通常會將聚酰亞胺(Polyimide)做為器件保護層，即在器件表面旋涂聚酰亞胺層，以保護器件在高溫，高壓等惡劣的環境正常運行，延長器件使用壽命。聚酰亞胺層的厚度越厚，對器件的保護效果越好，高壓器件的聚酰亞胺層通常能達到30um～40um。

但是，在聚酰亞胺旋涂過程中，由于晶圓邊緣氣流較大，導致殘留的聚酰亞胺很快固化，形成隆起邊緣。聚酰亞胺粘稠度較高，在邊緣膠去除(EBR，Edge Bead Removal)工藝中容易出現去邊不干凈的問題，且聚酰亞胺形成保護層的厚度較厚，機臺無法檢測去邊寬度，影響邊緣膠去除工藝的準確性。

發明內容

本申請提供了一種半導體硅片保護層制作方法，可以解決相關技術中無法檢測去邊寬度，影響邊緣膠去除工藝的準確性的問題。

本申請提供一種半導體硅片保護層制作方法，所述半導體硅片保護層制作方法包括：

提供半導體硅片；

使得所述半導體硅片在低轉速狀態下勻速旋轉；

將黏度范圍為5cp～80cp的光刻膠，滴涂1.5cc～3cc的量于所述半導體硅片表面的中心；

使得所述半導體硅片在低轉速狀態下保持5s～15s時間，擴大所述光刻膠的覆蓋面積；

在2s～5s時間段內，使得所述半導體硅片由低速旋轉狀態提升至高速旋轉狀態，甩出多余光刻膠；

在高速旋轉狀態，所述半導體硅片保持25s～45s時間，使得所述光刻膠的厚度達到8000A～50000A；

通過邊緣膠去除工藝，根據預定去邊寬度，去除所述半導體硅片邊緣位置處的光刻膠。

可選的，在所述清洗烘干所述半導體硅片的步驟之后，所述將黏度范圍為5cp～80cp的光刻膠，滴涂于所述半導體硅片表面的中心的步驟之前，還進行：

對所述半導體硅片的表面進行增粘處理，使得所述半導體硅片的表面具有疏水性。

可選的，所述在所述半導體硅片的表面進行增粘處理的步驟，包括：

在溫度為50℃～180℃的真空環境中熱烘所述半導體硅片40s～60s時間；

向所述半導體硅片的表面噴射HMDS氣體，使得所述HMDS氣體吸附在所述半導體硅片的表面。

可選的，在所述在半導體硅片的表面進行增粘處理的步驟之后，在所述所述將黏度范圍為5cp～80cp的光刻膠，滴涂于所述半導體硅片表面的中心的步驟之前，還進行：

對所述半導體硅片進行預濕處理。

可選的，所述對所述半導體硅片進行預濕處理的步驟包括：

使得所述半導體硅片在所述低轉速狀態下勻速旋轉；