[發(fā)明專利]用于晶圓鍵合的鍵合盤以及晶圓鍵合裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010956483.8
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN112053975A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 司偉;白龍
• 申請（專利權(quán)）人: 北京華卓精科科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京頭頭知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11729
• 代理人: 劉鋒

1.一種用于晶圓鍵合的鍵合盤，其特征在于，所述用于晶圓鍵合的鍵合盤從內(nèi)側(cè)到外側(cè)依次包括壓盤、石墨層、加熱盤、冷卻盤和隔熱層，所述隔熱層包括反射屏和基板，所述基板設(shè)置在反射屏的外側(cè)，所述基板內(nèi)設(shè)置有冷卻介質(zhì)循環(huán)通道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶圓鍵合的鍵合盤，其特征在于，所述加熱盤和壓盤通過彈性連接件連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于晶圓鍵合的鍵合盤，其特征在于，所述彈性連接件為彈簧卡勾。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的用于晶圓鍵合的鍵合盤，其特征在于，所述加熱盤包括加熱盤基體和設(shè)置在所述加熱盤基體上的加熱元件，所述加熱盤基體上中心處的加熱元件密度大于邊緣處的加熱元件密度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于晶圓鍵合的鍵合盤，其特征在于，所述加熱盤基體包括內(nèi)圓形加熱區(qū)和外環(huán)形加熱區(qū)，所述外環(huán)形加熱區(qū)的加熱元件密度大于內(nèi)圓形加熱區(qū)的加熱元件密度，所述內(nèi)圓形加熱區(qū)的加熱元件和外環(huán)形加熱區(qū)的加熱元件分別單獨(dú)控制。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于晶圓鍵合的鍵合盤，其特征在于，所述加熱盤和冷卻盤為一體結(jié)構(gòu)，所述加熱盤基體內(nèi)設(shè)置有冷卻介質(zhì)循環(huán)管道，形成冷卻盤，所述冷卻介質(zhì)循環(huán)管道與提供冷卻介質(zhì)的外部管道連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于晶圓鍵合的鍵合盤，其特征在于，所述冷卻介質(zhì)循環(huán)管道與外部管道為一體結(jié)構(gòu)的同一個管道，所述冷卻介質(zhì)循環(huán)管道通過鑄壓的方式設(shè)置在加熱盤基體內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于晶圓鍵合的鍵合盤，其特征在于，所述反射屏為多層，相鄰兩層反射屏之間通過圓柱塊隔離。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于晶圓鍵合的鍵合盤，其特征在于，所述反射屏的層數(shù)為3～5層，所述基板上設(shè)置有溫度傳感器，所述壓盤和加熱盤的材質(zhì)為陶瓷或不銹鋼，所述石墨層的厚度為2～5mm，所述壓盤內(nèi)表面的平面度為2～4μm。

10.一種晶圓鍵合裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一所述的用于晶圓鍵合的鍵合盤。