[發明專利]一種壓電陶瓷材料、其制備方法及壓電陶瓷傳感器有效
| 申請號: | 202010955959.6 | 申請日: | 2020-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN112225550B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發明(設計)人: | 李春;李立新 | 申請(專利權)人: | 廣東天瞳科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/40 | 分類號: | C04B35/40;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;G01L1/14 |
| 代理公司: | 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425 | 代理人: | 潘桂生 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 壓電 陶瓷材料 制備 方法 陶瓷 傳感器 | ||
本發明涉及一種壓電陶瓷材料、其制備方法及壓電陶瓷傳感器。所述壓電陶瓷材料為釤、鈧共摻雜鐵酸鉍?鈦酸鋇?鈦酸鍶壓電陶瓷材料,其是由鐵電材料BiFeO3、BaTiO3和SrTiO3通過摻雜稀土元素Sm、Sc并固相燒結制成,具有以下化學通式:0.4Bi0.85Sm0.15Fe0.95Sc0.05O3?0.27BaTiO3?0.33SrTiO3。所述壓電陶瓷材料利用Sm和Sc摻雜改性純鐵酸鉍?鈦酸鋇?鈦酸鍶材料,通過Sm取代鐵酸鉍晶格中的Bi,進而避免了燒結過程中溫度過高導致較多的Bi的揮發,使得化學計量比失衡,從而產生較多的雜相,同時電阻率急劇下降的技術問題;此外利用Sc的摻雜能夠提高Fe3+的穩定性,有效抑制Fe3+向Fe2+的轉變,進而避免兩種價態鐵離子之間的電荷流動,有效提高電容器電介質的壓電性能。
技術領域
本發明涉及壓電陶瓷傳感器技術領域,具體涉及一種壓電陶瓷材料、其制備方法以及壓電陶瓷傳感器。
背景技術
壓電材料是一類能夠實現機械能與電信號之間相互轉換的功能材料,在國民生活、機械制造、航空航天、探測、軍事國防等領域廣泛應用。壓電材料包含壓電單晶、壓電陶瓷、壓電高分子以及壓電復合材料等幾大類。其中,壓電陶瓷由于其合成工藝簡單、合成成本低、壓電性能優異以及組分可調等特點,占據著壓電材料市場主導地位。
目前,Pb(Zr,Ti)O3(PZT)陶瓷材料擁有優異的介電和壓電性能,居里溫度Tc=360℃是高溫壓電陶瓷的熱門材料。然而,PZT陶瓷材料在200℃以上的溫度無法安全工作,同時Pb易揮發,對環境和人體的污染不可忽略。因此研究具有高的居里溫度和優異壓電性能的無Pb陶瓷體系是日益增長的汽車制造、航空、石油化工等領域的迫切需要。目前無Pb壓電陶瓷體系主要有鈦酸鋇基(BaTiO3),鈦酸秘鈉基(Bi0.5Na0.5TiO3),酸鉀鈉基(KNaNbO3),秘層狀基、鎢青銅基、鋁酸秘基(BiAlO3)以及鐵酸秘基(BiFeO3)等陶瓷體系。其中BiFeO3基陶瓷由于其高的居里溫度(Tc=830℃)和尼爾溫度(TN=370℃)使得其在電子器件等領域有廣闊的應用前景。然而,由于該體系的壓電陶瓷在燒結過程中,Bi3+易揮發,以及Fe3+被還原為Fe2+,產生了大量的氧空位缺陷,導致室溫下電阻率低、漏電流大,造成絕緣性能差以及介電損耗高等缺陷,不利于BiFeO3陶瓷的制備和高電場極化,限制了其實際應用。
為了提高BiFeO3基壓電陶瓷的性能,目前主要通過優化制備工藝,如采用水淬法、快速液相燒結法、A、B位元素摻雜,如A位摻入Sm3+、La3+,Nd3+等離子,B位摻入Al3+,Sc3+,Ti4+等離子,與其他穩定ABO3結構形成固溶體等方式,如:BaTiO3,SrTiO3,NaNbO3等,其中,BiFeO3-BaTiO3基材料相比于純的BiFeO3基材料結構更加穩定,絕緣性能和壓電性能更好,但是其在高溫和高電場下的應用受到限制。
發明內容
基于此,本發明的目的在于克服現有技術中存在的缺點,提供一種壓電陶瓷材料,其具有良好的壓電性能,較高的居里溫度,優異的疲勞特性等優點。
本發明的具體技術方案為:
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