[發(fā)明專利]多相交錯降壓電源和電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010954793.6 | 申請日: | 2020-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN112148081B | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李碩;陳娜 | 申請(專利權(quán))人: | 北京比特大陸科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F1/18 | 分類號: | G06F1/18;G06F1/26 |
| 代理公司: | 北京景聞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11742 | 代理人: | 朱鴻雁 |
| 地址: | 100192 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多相 交錯 降壓 電源 電子設(shè)備 | ||
本發(fā)明公開涉及一種多相交錯降壓電源和電子設(shè)備。本發(fā)明實施例的多相交錯降壓電源,用于為IC器件供電,多相交錯降壓電源包括多相支路供電模塊,多相支路供電模塊設(shè)置在IC器件所在主板的遠離IC器件的底面上。本發(fā)明實施例的多相交錯降壓電源和電子設(shè)備,能夠縮短甚至消除了冗長的布線距離,從而減小損耗,提升效率,還便于IC器件的管腳設(shè)計。設(shè)置多相支路供電模塊遠離IC器件還可以最大程度的不影響電源的動態(tài)性能,同時可以在一定程度上減少PCB的層數(shù)和減小PCB板使用面積,降低PCB板的成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種多相交錯降壓電源和電子設(shè)備。
背景技術(shù)
在計算機服務(wù)器等主板上給CPU/GPU/ASIC(central processing unit,中央處理器/Graphics Processing Unit,圖形處理器/Appl ication Specific IntegratedCircuit,專用集成電路)等高性能半導(dǎo)體IC(integratedcircuit,集成電路)器件供電的POL(point of load,負載點電源)基本都是采用多相交錯降壓電源電路,隨著IC芯片制作工藝技術(shù)的迭代升級和應(yīng)用場景的需求提升,單顆芯片的核電壓越來越低,電流越來越高,尺寸越來越大,導(dǎo)致線損在損耗中的占比越來越高。
目前較為流行的多相交錯降壓電源電路布局方案是同一板面上、IC的單側(cè)一字排開放置。如圖1所示,為現(xiàn)有技術(shù)中常見的的多相交錯壓降電源的側(cè)視圖。在現(xiàn)有技術(shù)中,多相交錯壓降電源的布局方案是,將多相交錯壓降電源100’與IC器件200’設(shè)置在同一板面上且單側(cè)一字排開放置,其中IC器件的散熱器300’用于幫助IC器件200’散熱。如圖2所示,為現(xiàn)有技術(shù)中常見的的多相交錯壓降電源的布局方案示意圖。將多相交錯降壓電源100’,設(shè)置在主板400’的一側(cè),多相交錯降壓電源100’中包括多相支路供電模塊120’,部分多相支路供電模塊120’在圖中省略未畫出,IC器件200’包括IC器件的金屬封裝殼201’與IC器件的晶硅片核心202’。供電模式為單側(cè)供電,會影響IC器件200’的管腳設(shè)計,輸出回流路徑加長。大電流工況下,線損驟升,只能通過增加的層數(shù)解決,這樣就會大幅增加PCB的成本,也會影響電源的動態(tài)性能。IC器件200’的封裝邊界電源管腳點的電位是不同的。例如,b點電位會明顯高于c點電位,所以為了滿足最低電位點處的核心單元正常工作,只能調(diào)高電源的輸出電壓,但會導(dǎo)致了IC器件200’的功耗無謂增高。且在大尺寸芯片或芯片大電流、電源相數(shù)較多的情況下,位于電源邊緣位置的相支路的輸出端與IC器件200’之間的距離遠大于處于中心軸位置的相支路與IC器件200’之間的距離,例如,a0與IC器件200’之間的距離遠大于a與IC器件200’之間的距離,這會引起各相電流不均衡。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此,本發(fā)明的一個目的在于提出一種多相交錯降壓電源,該多相交錯降壓電源可以縮短甚至消除冗長的布線距離,減小線損耗和干擾,提升效率,可以降低對電源動態(tài)性能的影響,便于IC器件的管腳設(shè)計且成本低。
本發(fā)明第二個目的在于提出一種電子設(shè)備。
為了達到上述目的,本發(fā)明第一方面實施例的多相交錯降壓電源,用于為IC器件供電,所述多相交錯降壓電源包括多相支路供電模塊,多相支路供電模塊設(shè)置在所述IC器件所在主板的遠離所述IC器件的底面上。
根據(jù)本發(fā)明實施例的多相交錯壓降電源,將多相支路供電模塊設(shè)置在IC器件所在主板的遠離IC器件的底面上,相較于供電模塊與IC器件同側(cè)設(shè)置,兩者設(shè)置在主板兩面,可以便于IC器件的管腳設(shè)計。設(shè)置多相支路供電模塊與IC器件在主板的兩側(cè),也能將校對電源動態(tài)性能的影響,利于供電模塊與IC器件的布線,減少PCB板層數(shù)的浪費,以及設(shè)置在主板兩面,可以減小PCB板使用面積,降低PCB的成本。
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