[發(fā)明專利]加熱裝置及具有其的MOCVD設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010953754.4
• 申請(qǐng)日: 2020-09-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114164415A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聚燦光電科技（宿遷）有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/46
• 分類號(hào): C23C16/46
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

1.一種加熱裝置，適用于MOCVD設(shè)備，所述加熱裝置外輪廓大致呈圓形，其特征在于，

所述加熱裝置沿其周向分為偶數(shù)個(gè)扇形區(qū)；

每個(gè)所述扇形區(qū)內(nèi)分為依次交替排布的多個(gè)加熱區(qū)和多個(gè)空置區(qū)，所述加熱裝置內(nèi)設(shè)有加熱元件，所述加熱元件至少覆蓋部分所述加熱區(qū)；

于相鄰的兩個(gè)所述扇形區(qū)內(nèi)，一所述扇形區(qū)內(nèi)的所述加熱區(qū)與另一所述扇形區(qū)內(nèi)的所述空置區(qū)在分布位置上呈鏡像對(duì)稱關(guān)系。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，每個(gè)所述扇形區(qū)的圓心角角度相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱裝置，其特征在于，所述加熱裝置沿其一中軸線分為對(duì)稱分布的第一扇形區(qū)和第二扇形區(qū)，所述第一扇形區(qū)內(nèi)分為依次交替排布的多個(gè)第一加熱區(qū)和多個(gè)第一空置區(qū)，所述第二扇形區(qū)內(nèi)分為依次交替排布的多個(gè)第二加熱區(qū)和多個(gè)第二空置區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱裝置，其特征在于，所述第一加熱區(qū)和所述第一空置區(qū)的分界線為以所述加熱裝置中心為圓心的多個(gè)同心半圓；所述第二加熱區(qū)和所述第二空置區(qū)的分界線為以所述加熱裝置中心為圓心的多個(gè)同心半圓。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱裝置，其特征在于，所述第一加熱區(qū)和所述第一空置區(qū)的分界線垂直于所述中軸線；所述第二加熱區(qū)和所述第二空置區(qū)的分界線垂直于所述中軸線。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱裝置，其特征在于，所述第一加熱區(qū)和所述第一空置區(qū)的分界線平行于所述中軸線；所述第二加熱區(qū)和所述第二空置區(qū)的分界線平行于所述中軸線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述加熱元件為連續(xù)彎折分布于所述加熱區(qū)內(nèi)的電阻絲或電阻片，至少于一個(gè)所述扇形區(qū)內(nèi)，所述電阻絲或所述電阻片至少包括單位長(zhǎng)度電阻不同的兩部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱裝置，其特征在于，所述電阻絲或所述電阻片沿所述加熱裝置半徑方向由內(nèi)向外單位長(zhǎng)度電阻逐漸升高。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱裝置，其特征在于，位于所述加熱裝置半徑方向由內(nèi)向外一固定位置處的部分所述電阻絲或所述電阻片的單位長(zhǎng)度電阻低于其他區(qū)域所述電阻絲或所述電阻片的電阻。

10.一種MOCVD設(shè)備，包括：反應(yīng)室、位于所述反應(yīng)室內(nèi)的基片承載盤(pán)和位于基片承載盤(pán)下方的加熱裝置、及源供給系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱裝置為權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的加熱裝置。