[發(fā)明專利]研磨用組合物、研磨方法及半導(dǎo)體基板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010951611.X | 申請日： | 2020-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN112480824B | 公開（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 前僚太;大西正悟 | 申請（專利權(quán)）人： | 福吉米株式會社 |
| 主分類號： | C09G1/02 | 分類號： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 研磨 組合 方法 半導(dǎo)體 制造 | ||
1.一種研磨用組合物，其包含磨粒、堿性無機(jī)化合物、陰離子性水溶性高分子和分散介質(zhì)，
所述磨粒的zeta電位為負(fù)，
所述磨粒的長徑比超過1.1，
在利用激光衍射散射法求出的所述磨粒的粒徑分布中，從微粒側(cè)起的累積顆粒質(zhì)量達(dá)到總顆粒質(zhì)量的90％時的顆粒的直徑D90與從微粒側(cè)起的累積顆粒質(zhì)量達(dá)到總顆粒質(zhì)量的50％時的顆粒的直徑D50的比D90/D50超過1.3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述陰離子性水溶性高分子為選自由聚丙烯酸系高分子及聚甲基丙烯酸系高分子組成的組中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述陰離子性水溶性高分子的分子量為5000以上且6000000以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，其pH為9以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述磨粒包含膠體二氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的研磨用組合物，其中，在利用激光衍射散射法求出的所述磨粒的粒徑分布中，從微粒側(cè)起的累積顆粒質(zhì)量達(dá)到總顆粒質(zhì)量的50％時的顆粒的直徑D50為50nm以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的研磨用組合物，其還包含氧化劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述磨粒包含氧化鋁。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的研磨用組合物，其中，在利用激光衍射散射法求出的所述磨粒的粒徑分布中，從微粒側(cè)起的累積顆粒質(zhì)量達(dá)到總顆粒質(zhì)量的50％時的顆粒的直徑D50為100nm以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，其用于對包含氧化硅的研磨對象物進(jìn)行研磨的用途。
11.一種研磨方法，其包括使用權(quán)利要求1所述的研磨用組合物對研磨對象物進(jìn)行研磨的工序。
12.一種半導(dǎo)體基板的制造方法，其具有權(quán)利要求11所述的研磨方法。
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