[發明專利]包括具有重分布層的半導體芯片的半導體封裝

在審

• 申請號: 202010951559.8
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN113725168A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 金宗鉉;金勝桓;徐鉉哲;金基永
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

包括具有重分布層的半導體芯片的半導體封裝。一種半導體封裝包括：封裝基板；第一半導體芯片，其設置在封裝基板上方并具有中央區域和邊緣區域；以及封裝重分布層，其設置在第一半導體芯片上方，其中，第一半導體芯片包括：下結構；重分布導電層，其設置在下結構上方并且電連接到下結構，該重分布導電層包括設置在中央區域中的重分布焊盤；以及保護層，其覆蓋下結構和重分布導電層，并且具有暴露重分布焊盤的開口，其中，封裝重分布層包括：封裝重分布導電層，其連接到重分布焊盤并且延伸到邊緣區域，該封裝重分布導電層包括設置在邊緣區域中的封裝重分布焊盤，并且其中，在邊緣區域中，重分布導電層被省略。

技術領域

本專利文獻涉及半導體封裝，更具體地，涉及一種包括具有重分布層的半導體芯片的半導體封裝。

背景技術

半導體芯片可包括具有各種功能的集成電路。為了將該半導體芯片連接到外部端子，可能需要形成重分布層。

該重分布層可主要在形成電路圖案的晶圓的生產完成(fab-out)狀態下(即，在封裝工藝中)形成。然而，在一些情況下，可在晶圓中形成電路圖案的前端工藝中與電路圖案一起形成重分布層。

發明內容

在實施方式中，一種半導體封裝可包括：封裝基板；第一半導體芯片，其設置在封裝基板上方并具有中央區域和邊緣區域；以及封裝重分布層，其設置在第一半導體芯片上方，其中，第一半導體芯片包括：下結構；重分布導電層，其設置在下結構上方并電連接到下結構，該重分布導電層包括設置在中央區域中的重分布焊盤；以及保護層，其覆蓋下結構和重分布導電層，并具有暴露重分布焊盤的開口，其中，封裝重分布層包括：封裝重分布導電層，其連接到重分布焊盤并延伸到邊緣區域，該封裝重分布導電層包括設置在邊緣區域中的封裝重分布焊盤，并且其中，在邊緣區域中，省略重分布導電層。

附圖說明

圖1A是例示了根據本公開的實施方式的第一半導體芯片的橫截面圖。

圖1B是示出圖1A的第一半導體芯片的重分布導電層的一部分的平面圖。

圖1C是示出圖1A的部分P1的示例的橫截面圖。

圖2A是例示了包括圖1A的第一半導體芯片的半導體封裝的橫截面圖。

圖2B是示出圖2A的第一半導體芯片的重分布導電層的一部分和其上的封裝重分布導電層的一部分的平面圖。

圖3是沿著圖2B的線A2-A2’的橫截面的一部分的放大圖。

圖4是例示了第二半導體芯片層疊在圖2A的半導體封裝的第一半導體芯片上方的半導體封裝的橫截面圖。

圖5A是例示了根據本公開的另一實施方式的第一半導體芯片的橫截面圖。

圖5B是示出圖5A的第一半導體芯片的重分布導電層的一部分的平面圖。

圖6A是例示了包括圖5A的第一半導體芯片的半導體封裝的橫截面圖。

圖6B是示出圖6A的第一半導體芯片的重分布導電層的一部分和其上的封裝重分布導電層的一部分的平面圖。

圖7是例示了第二半導體芯片層疊在圖6A的半導體封裝的第一半導體芯片上方的半導體封裝的橫截面圖。

圖8A是例示了根據本公開的另一實施方式的半導體封裝的橫截面圖。

圖8B是示出圖8A的第一半導體芯片的一些重分布焊盤和與之連接的封裝重分布導電層的平面圖。

圖8C是示出圖8A的第二半導體芯片的一些芯片焊盤的平面圖。

圖9示出例示了采用包括根據實施方式的半導體封裝的存儲卡的電子系統的框圖。

圖10示出例示了包括根據實施方式的半導體封裝的另一電子系統的框圖。