[發明專利]用于設置參考電壓的電路和包括所述電路的半導體器件

在審

• 申請號: 202010951168.6
• 申請日: 2016-03-28
• 公開（公告）號: CN112151088A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 李承爋;鄭元敬
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

提供了一種用于設置參考電壓的電路和包括所述電路的半導體器件。所述電路包括參考電壓信息儲存單元和參考電壓輸入/輸出I/O控制單元。參考電壓信息儲存單元被配置成如果訓練操作開始于第一設置模式，則根據儲存在第一寄存器或第二寄存器中的信息來設置參考電壓的電平。參考電壓I/O控制單元被配置成如果訓練操作開始于第二設置模式，則根據第一數據或第二數據來設置參考電壓的電平。

相關申請的交叉引用

本申請是申請日為2016年3月28日、申請號為CN 201610183058.3、發明名稱為“用于設置參考電壓的電路和包括所述電路的半導體器件”的中國發明專利申請的分案申請。

技術領域

本公開的實施例涉及用于設置參考電壓的電路和包括所述電路的半導體器件。

背景技術

通常，諸如半導體集成電路(IC)的集成電路可以包括半導體系統，所述半導體系統接收從外部系統供應的外部信號，以產生內部信號。半導體系統可以將外部信號與參考電壓進行比較，并且可以緩沖外部信號，以產生用于半導體系統的內部電路的內部信號。內部信號可以基于外部信號與參考電壓的比較結果來設置邏輯電平。例如，如果內部信號的電壓電平比參考電壓更高，則內部信號可以被設置成邏輯“高”電平，而如果內部信號的電壓電平比參考電壓更低，則內部信號可以被設置成邏輯“低”電平。輸入至半導體系統的參考電壓可以具有介于預定的最大電平(VILmax)與預定的最小電平(VILmin)之間的中間電平。然而，參考電壓的電平可能根據環境條件、系統的電力信號的噪聲、印刷電路板(PCB)的互連線的形狀、和/或封裝體的互連線的形狀而波動。如果參考電壓的電平波動，則半導體系統會錯誤地識別外部信號的電平，且因而可能產生具有錯誤邏輯電平的內部信號，從而可能引起內部電路的故障。因而，重要的是驗證并確認參考電壓電平，使得半導體系統正確地接收外部信號。

近來，用于查找參考電壓的電平范圍并且設置參考電壓的電平的命令總線訓練(CBT)方案已經廣泛地用于初始化操作(例如，半導體器件的啟動操作)，以使得半導體器件能夠正常地操作。

發明內容

各種實施例涉及用于設置參考電壓的電路以及包括所述電路的半導體器件。

根據一個實施例，提供了一種用于設置參考電壓的電路。所述電路包括參考電壓信息儲存單元和參考電壓輸入/輸出(I/O)控制單元。參考電壓信息儲存單元被配置成如果訓練操作開始于第一設置模式，則根據儲存在第一寄存器或第二寄存器中的信息來設置參考電壓的電平。參考電壓I/O控制單元被配置成如果訓練操作開始于第二設置模式，則根據第一數據或第二數據來設置參考電壓的電平。

根據另一個實施例，半導體器件包括第一通道和第二通道。第一通道被配置成包括第一數據焊盤部分和第二數據焊盤部分，所述第一數據焊盤部分在第一輸入模式和第二輸入模式下接收第一數據，所述第二數據焊盤部分在第一輸入模式下接收第二數據。第一通道被配置成根據第一數據或第二數據來設置第一參考電壓的電平。第二通道被配置成包括第三數據焊盤部分和第四數據焊盤部分，所述第三數據焊盤部分在第一輸入模式和第二數據模式下接收第一數據，所述第三數據焊盤部分在第一輸入模式下接收第二數據。第二通道被配置成根據第一數據或第二數據來設置第二參考電壓的電平。

附圖說明

結合附圖和所附具體描述，本公開的各種實施例將變得更加顯然，其中：

圖1為圖示根據一個實施例的半導體器件的框圖；

圖2為圖示包括在圖1的半導體器件中的第一參考電壓設置電路的框圖；

圖3為圖示包括在圖2的第一參考電壓設置電路中的控制信號發生單元的電路圖；

圖4為圖示包括在圖2的第一參考電壓設置電路中的參考電壓信息儲存單元框圖；

圖5為圖示包括在圖2的第一參考電壓設置電路中的參考電壓輸入/輸出控制單元的電路圖；