[發明專利]導體絕緣體半導體場效應晶體管

在審

• 申請號: 202010951137.0
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN112151617A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: A·M·歐若拉
• 申請（專利權）人: 海伯利安半導體公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/808;H01L29/36;H01L29/10;H01L29/06;H01L27/12;H01L27/098;H01L27/092;H01L27/02;H03K19/00;H03K19/003;H03K19/0185;H03K19/094;H
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 張昊

1.一種掩埋的溝道導體絕緣體半導體場效應晶體管，包括：

-第一導電類型半導體材料的源極，

-第一導電類型半導體材料的漏極，

-外部柵極，位于所述源極和所述漏極之間，

-第一導電類型半導體材料的溝道，位于所述源極和所述漏極之間，

-絕緣材料層，位于所述外部柵極和所述溝道之間，以及

-第二導電類型半導體材料的背柵摻雜部，鄰近所述溝道，位于與所述外部柵極相對的一側上；

-所述背柵摻雜部對應于柵極，

-所述外部柵極對應于輔助柵極，

-所述源極可偏壓于源極電位，

-所述柵極可偏壓于第一邏輯電位或第二邏輯電位，

所述掩埋的溝道導體絕緣體半導體場效應晶體管被配置為：

-當所述背柵摻雜部被偏壓于所述第一邏輯電位時，所述溝道導電，

-當所述背柵摻雜部被偏壓于所述第二邏輯電位時，所述溝道不導電，并且

-所述外部柵極被配置為被偏壓，以便在所述外部柵極下方的絕緣體半導體界面處建立可移動的第二導電類型電荷載流子層，而不管所述背柵摻雜部是被偏壓于所述第一邏輯電位還是所述第二邏輯電位，以及所述可移動的第二導電類型電荷載流子層被布置為充當所述柵極的一部分，并且被布置為從與所述第二導電類型的背柵摻雜部相對的一側控制所述溝道。

2.根據權利要求1所述的掩埋的溝道導體絕緣體半導體場效應晶體管，其中所述掩埋的溝道導體絕緣體半導體場效應晶體管還包括：絕緣材料，被配置為封裝所述源極、所述漏極、所述溝道和所述背柵摻雜部。

3.根據權利要求1所述的掩埋的溝道導體絕緣體半導體場效應晶體管，其中所述源極、所述漏極、所述溝道位于第二導電類型半導體材料的阱中，所述阱對應于所述背柵摻雜部，并且所述背柵摻雜部位于第一導電類型半導體材料的阱中。