[發明專利]一種太陽吸收率可設計的熱控涂層及制備方法

在審

• 申請號: 202010950599.0
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN111996491A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 丁良兵;董中林;李磊;佟文清;楊鑫鑫;曹立榮
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/34
• 代理公司: 合肥昊晟德專利代理事務所(普通合伙) 34153
• 代理人: 王林

1.一種太陽吸收率可設計的熱控涂層，其特征在于，在基材表面由內向外依次設置第一層鍍層、第二層鍍層和第三層鍍層，所述第一層鍍層為純鋁層，所述第二層鍍層為氮化鋁層，所述第三層鍍層為氧化鋁層。

2.如權利要求1所述的太陽吸收率可設計的熱控涂層，其特征在于，所述基材為鋁合金基，所述第一層鍍層厚度為0nm～300nm；所述第一層鍍層厚度為0nm～250nm；所述第三層鍍層厚度為0nm～20nm，所述熱控涂層的太陽吸收率為0.10到0.92。

3.如權利要求1所述的太陽吸收率可設計的熱控涂層，其特征在于，所述基材為聚酰亞胺，所述第一層鍍層厚度為0nm～300nm；所述第一層鍍層厚度為0nm～250nm；所述第三層鍍層厚度為0nm～20nm，所述熱控涂層的太陽吸收率為0.10到0.90。

4.如權利要求2或3所述的太陽吸收率可設計的熱控涂層，其特征在于，所述第一層鍍層厚度為不能低于100nm。

5.一種如權利要求1-3中任一項所述的太陽吸收率可設計的熱控涂層的制備方法，其特征在于，所述第一層鍍層、所述第二層鍍層和所述第三層鍍層采用真空鍍膜的方式制備。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一層鍍層鍍制的工藝參數：真空度為6×10^-1Pa～8×10^-1Pa；氬氣進氣量為120sccm，電壓為550V；電流為3A；濺射時間為500s。

7.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第二層鍍層鍍制工藝參數：真空度為6×10^-1Pa～8×10^-1Pa；氬氣進氣量為120sccm；氮氣進氣量為45sccm；電壓為550V；電流為3A；濺射時間為250s。

8.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第三層鍍層鍍制工藝參數：真空度為6×10^-1Pa～8×10^-1Pa；氬氣進氣量為120sccm；功率為1200W，濺射時間為400s。