[發(fā)明專利]一種類單晶純銅的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010950425.4
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN112195422B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 王金華;婁花芬;張曦;陳忠平;向朝建;楊春秀;莫永達
• 申請（專利權）人: 中鋁材料應用研究院有限公司
• 主分類號: C22F1/02
• 分類號: C22F1/02;C22F1/08;C21D9/00;C21D9/46;C21D9/52;B21B3/00
• 代理公司: 中國有色金屬工業(yè)專利中心 11028
• 代理人: 范威

1.一種類單晶純銅的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟(1)選擇具有等軸晶組織的純銅為坯料，所述的純銅的規(guī)格為棒材或帶/箔材；

步驟(2)將步驟(1)選取好的純銅進行冷變形處理，其中，棒材采用拉拔方式進行加工，帶/箔材采用冷軋方式進行加工；所述棒材拉拔的總變形量為60％～90％，每道次減徑量為0.5mm～1mm；所述帶/箔材冷軋的總變形量達到50％～99％，最終厚度控制在0.007mm～0.3mm；

步驟(3)將經步驟(2)得到的銅材的頭部區(qū)域在保護氣氛下置于第一均勻加熱區(qū)域和第一低溫輻射區(qū)域進行感應加熱，在頭部形成籽晶；其中，所述銅材為棒材時，所述的第一均勻加熱區(qū)域的溫度為500℃～700℃，保溫時間為6h～50h，升溫速率為1℃/min～5℃/min；所述銅材為帶/箔材時，所述的第一均勻加熱區(qū)域的溫度為1000℃～1050℃，保溫時間為1h～10h，升溫速率為2℃/min～20℃/min；

步驟(4)將經步驟(3)得到的純銅，依次在第二均勻加熱區(qū)域、第二低溫輻射區(qū)域進行在線連續(xù)感應加熱退火，使籽晶連續(xù)長大獲得類單晶純銅；所述的第二均勻加熱區(qū)域的溫度為900℃～1020℃，退火的移動速度為0.1mm/min～1mm/min。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(3)中第一均勻加熱區(qū)域的長度為5mm～20mm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(3)中第一低溫輻射區(qū)域的溫度控制在300℃以下。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(4)中的第二均勻加熱區(qū)域的長度為5mm～15mm。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(4)中的第二低溫輻射區(qū)域的溫度控制在400℃以下。