[發明專利]一種超低應力高反射薄膜的制備方法在審

申請號：	202010948566.2	申請日：	2020-09-10
公開（公告）號：	CN112095081A	公開（公告）日：	2020-12-18
發明（設計）人：	劉華松;白金林;姜玉剛;王利栓;李子楊	申請（專利權）人：	天津津航技術物理研究所
主分類號：	C23C14/34	分類號：	C23C14/34;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/54;G02B5/08
代理公司：	中國兵器工業集團公司專利中心 11011	代理人：	劉二格
地址：	300308 天津***	國省代碼：	天津;12
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種應力反射薄膜制備方法
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【權利要求書】：

1.一種超低應力高反射薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：分別選擇Ta靶和SiO₂靶作為離子束濺射靶材，采用單離子束濺射沉積技術，制備單層Ta₂O₅和SiO₂薄膜；

S2：采用單離子束濺射沉積技術，在石英或K9基底上制備高反射薄膜1，采用分光光度計測量其反射光譜，并采用激光干涉儀測量基底鍍膜前后的面形，并計算應力；

S3：采用雙離子束濺射沉積技術，制備單層Ta₂O₅和SiO₂薄膜；

S4：采用雙離子束濺射沉積技術，在石英或K9基底上制備高反射薄膜2，采用分光光度計測量其反射光譜，并采用激光干涉儀測量基底鍍膜前后的面形，并計算應力；

S5：獲得超低應力光學薄膜元件。

2.如權利要求1所述的超低應力高反射薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，選擇Ta靶和SiO₂靶作為離子束濺射沉積靶材，選擇熔融石英、K9或Si基底，采用單離子束濺射沉積技術，制備Ta₂O₅薄膜，其中鍍膜真空室本體真空度為m₁×10^-6Torr，1≤m₁≤50，真空室氧氣流量為X₁sccm，10≤X₁≤50，主離子源束壓為U₁，600V≤U₁≤1500V，束流為I₁，200mA≤I₁≤900mA；制備SiO₂薄膜時，其中鍍膜真空室本體真空度為m₂×10^-6Torr，1≤m₂≤50，真空室氧氣流量為X₂sccm，10≤X₂≤50，主離子源束壓為U₂，600V≤U₁≤1500V，束流為I₂，200mA≤I₂≤900mA。

3.如權利要求2所述的超低應力高反射薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，高反射薄膜1的膜系結構為Sub/(H L)^n₁/Air，參考波長為λ₁，n₁為6～30，λ₁為300nm～5000nm。

4.如權利要求3所述的超低應力高反射薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，制備Ta₂O₅薄膜時，鍍膜真空室本體真空度為m₃×10^-6Torr，1≤m₃≤50，真空室氧氣流量為X₃sccm，10≤X₂≤50，主離子源工作參數：工作電壓為U₃，600V≤U₃≤1500V，工作電流為I₃，200mA≤I₃≤900mA；輔助離子源工作參數：工作電壓為U₄，100V≤U₄≤1200V，工作電流為I₄，100mA≤I₄≤600mA，氬氣流量為Y₁sccm，0≤Y₁≤30，氧氣流量為Y₂ sccm，0≤Y₂≤30。