[發明專利]一種高堆疊封裝結構及其形成方法有效
| 申請號: | 202010948308.4 | 申請日: | 2020-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN112053960B | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發明(設計)人: | 孫德瑞;侯新祥 | 申請(專利權)人: | 深圳市深濠精密科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/16;H01L25/18 |
| 代理公司: | 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384 | 代理人: | 尹益群 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 堆疊 封裝 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種高堆疊封裝結構的形成方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)提供一第一電路基板,在所述第一電路基板的兩側邊緣區域形成第一導電凸塊,將第一半導體管芯貼裝在所述第一電路基板上,接著在所述第一電路基板上形成第一塑封層,所述第一塑封層包裹所述第一導電凸塊和所述第一半導體管芯,所述第一導電凸塊的一部分從所述第一塑封層的側面露出,接著在所述第一電路基板的背面植球,以形成第一封裝組件;
(2)提供一第二電路基板,將第二半導體管芯貼裝在所述第二電路基板上,接著在所述第二電路基板上形成第二塑封層,所述第一塑封層包裹所述第二半導體管芯,接著在所述第二電路基板的背面植球,以形成第二封裝組件;
(3)提供第三電路基板,在所述第三電路基板的兩側邊緣區域形成第二導電凸塊,且在所述第三電路基板上形成第三導電凸塊,將第三半導體管芯貼裝在所述第三電路基板上,接著在所述第三電路基板上形成第三塑封層,所述第三塑封層包裹所述第二導電凸塊、所述第三導電凸塊和所述第三半導體管芯,所述第二導電凸塊的一部分從所述第三塑封層的側面露出,所述第三導電凸塊的一部分從所述第三塑封層的頂面露出,接著在所述第三電路基板的背面植球,以形成第三封裝組件;
(4)提供一柔性基板,以所述第一塑封層的頂面朝向所述柔性基板的方式將所述第一封裝組件設置在所述柔性基板的中間區域,以所述第二塑封層的頂面朝向所述柔性基板的方式將兩個所述第二封裝組件分別設置在所述柔性基板的相對的兩個側邊區域,接著在所述第一、第二封裝組件上設置第一臨時承載基板;
(5)接著從所述柔性基板的背面對所述柔性基板的中間區域、所述第一塑封層以及所述第一半導體管芯進行刻蝕處理,以在所述第一半導體管芯中形成多個間隔設置的第一穿孔,其中,位于所述第一半導體管芯的中間區域的所述第一穿孔的深度較淺,而位于所述第一半導體管芯的邊緣區域的所述第一穿孔的深度較深;
(6)接著從所述柔性基板的背面對所述柔性基板的相對的兩個側邊區域、所述第二塑封層以及所述第二半導體管芯進行刻蝕處理,以在所述第二半導體管芯中形成多個間隔設置的第二穿孔,其中,位于所述第二半導體管芯的中間區域的所述第二穿孔的深度較淺,而位于所述第二半導體管芯的邊緣區域的所述第二穿孔的深度較深;
(7)接著在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉積金屬材料以分別形成第一金屬柱和第二金屬柱;
(8)接在所述柔性基板的底面設置第二臨時承載基板,接著去除所述第一臨時承載基板,接著在所述第一封裝組件上設置所述第三封裝組件,并使得所述第一封裝組件的焊球直接接觸所述第三封裝組件的所述第三導電凸塊,接著將所述柔性基板的相對的兩個側邊區域向上彎折,使得每個所述第二封裝組件均貼裝至所述第一封裝組件的側壁和所述第三封裝組件的側壁,并使得每個所述第二封裝組件均電連接至所述第一、第三封裝組件;
(9)提供一線路基板,將所述第三封裝組件電連接至所述線路基板,接著去除所述第二臨時承載基板。
2.根據權利要求1所述的高堆疊封裝結構的形成方法,其特征在于:在所述步驟(1)中,在所述第一電路基板上形成第一光刻膠掩膜,所述第一光刻膠掩膜預留有開口,接著在所述開口中以及在所述第一光刻膠掩膜的上表面沉積導電材料以形成第一導電層,接著對所述第一導電層進行圖案化處理,接著去除所述第一光刻膠掩膜,以形成型的所述第一導電凸塊。
3.根據權利要求1所述的高堆疊封裝結構的形成方法,其特征在于:在所述步驟(3)中,在所述第三電路基板上形成第二光刻膠掩膜,在所述第二光刻膠掩膜中形成第一開口,在所述第一開口中沉積到導電材料以形成所述第三導電凸塊,接著對所述第二光刻膠掩膜的一部分進行減薄處理以形成第三光刻膠掩膜,在所述第三光刻膠掩膜中形成第二開口,接著在所述第二開口中以及所述第三光刻膠掩膜的上表面的一部分形成第二導電層,接著對所述第二導電層進行圖案化處理,接著去除所述第三光刻膠掩膜,以形成型的所述第二導電凸塊。
4.根據權利要求1所述的高堆疊封裝結構的形成方法,其特征在于:在所述步驟(4)中,所述柔性基板為聚酰亞胺基板、聚對苯二甲酸乙二醇酯基板、聚苯醚砜基板、熱塑性聚氨酯基板、聚碳酸酯基板、環氧樹脂基板、苯酚樹脂基板中的一種,所述第一臨時承載基板是不銹鋼基板、銅基板、鐵基板、陶瓷基板中的一種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市深濠精密科技有限公司,未經深圳市深濠精密科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010948308.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





