[發(fā)明專利]一種Dion-Jacobson相二維鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010947986.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114171685A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉生忠;張旭;趙奎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L51/48 | 分類號(hào): | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司: | 大連東方專利代理有限責(zé)任公司 21212 | 代理人: | 張玉瑩;李馨 |
| 地址: | 116000 遼寧*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 dion jacobson 二維 鈣鈦礦 太陽(yáng)能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種Dion-Jacobson相二維鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
步驟1,在導(dǎo)電基底上制備電子傳輸層;
步驟2,在保護(hù)氣氛下,稱取AX2,A’X和MX2原料,溶解于有機(jī)溶劑中,得到混合前驅(qū)體溶液;將所述前驅(qū)體溶液攪拌溶解2~10小時(shí),待溶液完全澄清后過(guò)濾,得到鈣鈦礦溶液;
步驟3,在保護(hù)氣氛下,將所述鈣鈦礦溶液涂覆在電子傳輸層上,然后加熱退火,退火后,自然冷卻至室溫,得到深紅棕色的鈣鈦礦吸光層;
步驟4,在保護(hù)氣氛下,在鈣鈦礦吸光層上制備空穴傳輸層;
步驟5,在空穴傳輸層上制備背電極,得到所述DJ相二維鈣鈦礦太陽(yáng)能電池;
所述步驟2中,AX2為(CH2CH2NH3)2I2,C6H4(NH3)2I2,C6H4(CH2NH3)2I2或C4NH2(CH2NH3)2I2,A’X為CH3NH3I或NH=CHNH3I;MX2為PbI2或SnI2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,
所述導(dǎo)電基底為FTO導(dǎo)電玻璃或ITO導(dǎo)電玻璃;
所述電子傳輸層為TiO2,SnO2,ZnO或WO3;
所述的空穴傳輸層為Spiro-OMeTAD,PTAA或P3HT;
所述的背電極為金電極、銅電極或碳電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述混合前驅(qū)體溶液中,AX2,A’X和MX2摩爾比例為1:X-1:X,其中,X值為1~10,所述混合前驅(qū)體溶液濃度為0.4~1.5mol/L。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述有機(jī)溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、γ-丁內(nèi)酯、二甲基亞砜和N-甲基-2-吡咯烷酮中的至少一種;所述步驟2和步驟3中,保護(hù)氣氛為惰性氣體,優(yōu)選氮?dú)饣驓鍤狻?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟3中,鈣鈦礦溶液的涂覆方式為:將鈣鈦礦溶液直接旋涂到電子傳輸層上;
或者,將鈣鈦礦溶液旋涂到電子傳輸層上,在旋涂過(guò)程中加入反溶劑;
或者,先將電子傳輸層加熱,再將鈣鈦礦溶液旋涂到電子傳輸層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,
所述反溶劑為氯苯、甲苯、甲酸甲酯、乙酸乙酯中的至少一種;
電子傳輸層的加熱溫度為50-200℃,加熱時(shí)間為2min~20min;
所述鈣鈦礦溶液的旋涂為一次完成或兩次完成;旋涂速率為100~9000rpm/min;旋涂時(shí)間為3~200s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟3中,退火溫度為50~150℃,退火時(shí)間為5~120min。
8.一種權(quán)利要求1-7任一所述的方法制備的DJ相二維鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的DJ相二維鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦吸光層為AA’n-1MnX3n+1型,其中,n為1~10。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的DJ相二維鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦吸光層的厚度為100nm~1μm;所述AA’n-1MnX3n+1型鈣鈦礦為多晶薄膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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