[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010947273.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112068373B | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 任維 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1362 | 分類號(hào): | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括:基板、像素電極和平坦化層;
所述平坦化層設(shè)置在所述基板一側(cè);
所述像素電極設(shè)置在所述基板背離所述平坦化層的一側(cè),所述像素電極分為正像素電極和負(fù)像素電極,所述正像素電極與所述負(fù)像素電極交替設(shè)置;
所述正像素電極下方的平坦化層為第一平坦化層,所述負(fù)像素電極下方的平坦化層為第二平坦化層,且所述第一平坦化層的厚度與所述第二平坦化層的厚度相異,在相鄰的所述正像素電極與所述負(fù)像素電極之間設(shè)置有公共電極,所述公共電極設(shè)置于所述第一平坦化層或所述第二平坦化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一平坦化層的厚度小于所述第二平坦化層的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一平坦化層的厚度大于所述第二平坦化層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一平坦化層的厚度與所述第二平坦化層的厚度之間具有一定的預(yù)設(shè)厚度差。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一平坦化層與所述第二平坦化層的厚度之間的預(yù)設(shè)厚度差為:0.5-1um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述正像素電極與所述負(fù)像素電極的寬度相等,每個(gè)所述像素電極具有一定的預(yù)設(shè)寬度,相鄰的兩個(gè)所述像素電極之間具有一定的預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,每個(gè)所述像素電極的預(yù)設(shè)寬度為:2um-3um;相鄰的兩個(gè)所述像素電極之間的預(yù)設(shè)長(zhǎng)度為:7um-12um。
8.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:彩膜基板、液晶層以及陣列基板,所述陣列基板采用權(quán)利要求1所述的陣列基板;所述彩膜基板正對(duì)于所述陣列基板設(shè)置,所述液晶層設(shè)置在所述彩膜基板與所述陣列基板之間,且所述液晶層內(nèi)的液晶為正型液晶。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





