[發明專利]濕法刻蝕控制系統、濕法刻蝕機和濕法刻蝕控制方法在審
| 申請號: | 202010947256.9 | 申請日: | 2020-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN114171424A | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發明(設計)人: | 陳信宏;黃焱謄 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;劉芳 |
| 地址: | 230011 安徽省合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濕法 刻蝕 控制系統 控制 方法 | ||
1.一種濕法刻蝕控制系統,其特征在于,包括:液位檢測單元、刻蝕劑噴射單元、清洗劑噴射單元、控制單元;
所述液位檢測單元,用于檢測漏液收集槽中漏液的液位;
所述刻蝕劑噴射單元,用于將刻蝕劑噴射在晶圓表面;
所述清洗劑噴射單元,用于將清洗劑噴射在晶圓表面;
所述控制單元,用于當所述液位檢測單元檢測的漏液的液位大于第一預設值時,控制所述刻蝕劑噴射單元停止向晶圓表面噴射刻蝕劑,并控制所述清洗劑噴射單元向晶圓表面噴射清洗劑。
2.根據權利要求1所述的濕法刻蝕控制系統,其特征在于,還包括:
用于向晶圓表面吹風的供風單元;
所述控制單元還用于:當所述清洗劑噴射單元停止噴射清洗劑時,控制所述供風單元向晶圓表面吹風。
3.根據權利要求1所述的濕法刻蝕控制系統,其特征在于,所述控制單元還用于:當所述液位檢測單元檢測的漏液的液位大于第二預設值時,控制濕法刻蝕機整機停機;其中,所述第二預設值大于所述第一預設值。
4.根據權利要求3所述的濕法刻蝕控制系統,其特征在于,還包括:
報警單元,用于發出報警信號;
所述控制單元還用于:當所述液位檢測單元檢測的漏液的液位大于第一預設值時,控制所述報警單元發出第一報警信號。
5.根據權利要求4所述的濕法刻蝕控制系統,其特征在于,所述控制單元還用于:當所述液位檢測單元檢測的漏液的液位大于第二預設值時,控制所述報警單元發出第二報警信號。
6.根據權利要求4所述的濕法刻蝕控制系統,其特征在于,所述報警信號為聲音信號、光信號和圖像信號中的一種或者多種。
7.根據權利要求1-6任一項所述的濕法刻蝕控制系統,其特征在于,還包括:
PH值檢測單元,用于檢測所述漏液收集槽中漏液的PH值;
所述控制單元還用于:根據所述PH值檢測單元檢測到的PH值,控制所述漏液收集槽中的漏液排放到相適配的廢液罐。
8.一種濕法刻蝕機,其特征在于,包括如權利要求1-7任一項所述的濕法刻蝕控制系統。
9.一種濕法刻蝕控制方法,其特征在于,包括:
檢測漏液收集槽中漏液的液位;
當所述漏液的液位大于第一預設值時,控制停止向晶圓噴射刻蝕劑,并控制向晶圓噴射清洗劑。
10.根據權利要求9所述的濕法刻蝕控制方法,其特征在于,還包括:
當停止向晶圓噴射清洗劑時,控制向晶圓吹風。
11.根據權利要求9所述的濕法刻蝕控制方法,其特征在于,當所述漏液的液位大于第二預設值時,控制濕法刻蝕機整機停機;其中,所述第二預設值大于所述第一預設值。
12.根據權利要求11所述的濕法刻蝕控制方法,其特征在于,還包括:
當所述漏液的液位大于第一預設值時,控制報警單元發出第一報警信號。
13.根據權利要求12所述的濕法刻蝕控制方法,其特征在于,還包括:
當所述漏液的液位大于第二預設值時,控制所述報警單元發出第二報警信號。
14.根據權利要求13所述的濕法刻蝕控制方法,其特征在于,所述第一報警信號和/或所述第二報警信號為聲音信號、光信號和圖像信號中的一種或者多種。
15.根據權利要求9-14任一項所述的濕法刻蝕控制方法,其特征在于,
檢測所述漏液收集槽中漏液的PH值;
根據檢測到的漏液的PH值,控制所述漏液收集槽中的漏液排放到相適配的廢液罐。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





