[發(fā)明專(zhuān)利]一種包裹式圖形化復(fù)合襯底、制備方法及LED外延片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010947179.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114171649A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖桂明;張劍橋;劉鳳儀;康凱;陸前軍;張能 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 東莞市中圖半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/22 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 包裹 圖形 復(fù)合 襯底 制備 方法 led 外延 | ||
1.一種包裹式圖形化復(fù)合襯底,其特征在于,包括襯底基板以及形成于所述襯底基板上的多個(gè)復(fù)合圖形微結(jié)構(gòu);
所述復(fù)合圖形微結(jié)構(gòu)包括中心凸起微結(jié)構(gòu)和類(lèi)火山口型環(huán)狀凸起微結(jié)構(gòu),所述中心凸起微結(jié)構(gòu)的底部與所述襯底基板一體連接,所述類(lèi)火山口型凸起微結(jié)構(gòu)采用異質(zhì)材料制成;
所述類(lèi)火山口型環(huán)狀凸起微結(jié)構(gòu)圍繞所述中心凸起微結(jié)構(gòu)設(shè)置,且包裹所述中心凸起微結(jié)構(gòu)的底部,露出所述中心凸起微結(jié)構(gòu)的頂部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底,其特征在于,所述中心凸起微結(jié)構(gòu)的高度大于或等于所述類(lèi)火山口型凸起微結(jié)構(gòu)的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底,其特征在于,相鄰的兩個(gè)所述復(fù)合圖形微結(jié)構(gòu)之間裸露出所述襯底基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底,其特征在于,所述中心凸起微結(jié)構(gòu)為臺(tái)狀微結(jié)構(gòu)、柱狀微結(jié)構(gòu)、錐狀微結(jié)構(gòu)、類(lèi)臺(tái)狀微結(jié)構(gòu)和類(lèi)錐狀微結(jié)構(gòu)中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底,其特征在于,所述中心凸起微結(jié)構(gòu)包括上部和下部,所述上部的側(cè)壁傾斜角度小于所述下部的側(cè)壁傾斜角度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底,其特征在于,所述中心凸起微結(jié)構(gòu)包括上部、中部和下部,所述上部為異質(zhì)材料制成,所述下部、所述中部和所述襯底基板一體連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底,其特征在于,所述類(lèi)火山口型環(huán)狀凸起微結(jié)構(gòu)的側(cè)壁呈弧狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底,其特征在于,所述襯底基板的制備材料包括藍(lán)寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、氮化硅、氧化鋅和尖晶石;所述異質(zhì)材料包括氧化物、氮化物、碳化物和單質(zhì)。
9.一種LED外延片,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底。
10.一種包裹式圖形化復(fù)合襯底的制備方法,其特征在于,用于制備如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底,所述制備方法包括:
提供一襯底基板,并在所述襯底基板上圖形化形成中心凸起微結(jié)構(gòu);
在所述襯底基板上形成異質(zhì)材料層;
圖形化所述異質(zhì)材料層形成類(lèi)火山口型環(huán)狀凸起微結(jié)構(gòu);其中,所述類(lèi)火山口型環(huán)狀凸起微結(jié)構(gòu)圍繞所述中心凸起微結(jié)構(gòu)設(shè)置,且包裹所述中心凸起微結(jié)構(gòu)的底部,露出所述中心凸起微結(jié)構(gòu)的頂部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底的制備方法,其特征在于,提供一襯底基板,并在所述襯底基板上圖形化形成中心凸起微結(jié)構(gòu),包括:
在襯底基板上形成第一光刻膠層;
圖形化所述第一光刻膠層,形成第一膠柱掩膜;
根據(jù)所述第一膠柱掩膜,對(duì)所述襯底基板進(jìn)行刻蝕,并形成所述中心凸起微結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底的制備方法,其特征在于,圖形化所述異質(zhì)材料層形成類(lèi)火山口型環(huán)狀凸起微結(jié)構(gòu),包括:
在所述異質(zhì)材料層上形成第二光刻膠層;
圖形化所述第二光刻膠層,形成第二膠柱掩膜;
根據(jù)所述第二膠柱掩膜,對(duì)所述異質(zhì)材料層進(jìn)行至少一次主刻蝕,并形成所述類(lèi)火山口型環(huán)狀凸起微結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的包裹式圖形化復(fù)合襯底的制備方法,其特征在于,在根據(jù)所述第二膠柱掩膜,對(duì)所述異質(zhì)材料層進(jìn)行主刻蝕,并形成所述類(lèi)火山口型環(huán)狀凸起微結(jié)構(gòu)之后,還包括:
對(duì)所述類(lèi)火山口型環(huán)狀凸起微結(jié)構(gòu)進(jìn)行過(guò)刻蝕,以修飾所述類(lèi)火山口型環(huán)狀凸起微結(jié)構(gòu)和所述中心凸起微結(jié)構(gòu)的圖形形貌。
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H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





