[發(fā)明專利]QFN半導(dǎo)體封裝、半導(dǎo)體封裝及引線框架

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010946800.8
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN114171485A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葛友;王志杰;賴明光
• 申請（專利權(quán)）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 孫尚白

1.四方扁平無引線(QFN)封裝，包括：

半導(dǎo)體管芯；

引線框架，所述引線框架在第一表面和第二表面之間具有一個厚度，并且包括：

管芯附著墊，具有矩形的內(nèi)部和圍繞該內(nèi)部周邊并與該內(nèi)部鄰接并從該內(nèi)部向外延伸的多個突起，以及

圍繞所述管芯附著墊的四個側(cè)面的多根引線，所述引線與所述管芯附著墊隔開并與所述管芯附著墊電隔離，所述引線與所述管芯附著墊之間具有間隔；以及

模塑料，包封所述半導(dǎo)體管芯并形成所述封裝，其中，所述模塑料填充引線之間的空間，并且位于將所述管芯附著墊與所述引線隔開的空間中，所述模塑料在所述管芯附著墊的每一側(cè)和各組所述引線之間具有各自的壕溝；

其中所述半導(dǎo)體管芯附接到所述管芯附著墊的第一表面；

其中，所述管芯附著墊具有至少在所述管芯附著墊的內(nèi)部從所述管芯附著墊的所述第二表面朝著所述第一表面延伸的多個溝槽，所述溝槽的深度小于所述引線框架的厚度；

其中多個溝槽各自延伸進(jìn)入相應(yīng)的突起直至與壕溝相接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QFN封裝，其中，所述突起被配置為具有圓弧形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QFN封裝，其中，每個所述突起被配置為位于所述管芯附著墊的與所述突起相應(yīng)的最接近的兩個相鄰引線之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QFN封裝，每個所述壕溝延伸到所述封裝的邊緣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QFN封裝，其中，所述壕溝的深度是所述引線框架的厚度的四分之一。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QFN封裝，其中，所述多個溝槽形成互連的網(wǎng)絡(luò)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QFN封裝，還包括可回流材料的焊料層，所述焊料層形成在所述引線框架的第二表面上以及形成在所述管芯附著墊和所述引線的下方。

8.一種包括根據(jù)權(quán)利要求7所述的QFN封裝的組件，還包括附接到所述焊料層的底表面的印刷電路板(PCB)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8所述的用于制造QFN封裝的引線框架，所述引線框架在第一表面和第二表面之間具有厚度，并且包括：

管芯附著墊區(qū)域，具有第一矩形內(nèi)部區(qū)域，該第一矩形內(nèi)部區(qū)域在其外圍周圍具有多個突起，所述多個突起與所述第一矩形內(nèi)部區(qū)域鄰接并從其向外延伸；

在所述管芯附著墊區(qū)域的四個側(cè)面中的每個側(cè)面的外側(cè)的通道區(qū)域，

以及在所述管芯附著墊周圍的多個引線區(qū)域，

所述管芯附著墊區(qū)域的每一側(cè)通過所述通道區(qū)域與相應(yīng)的一組所述引線區(qū)域間隔開；

其中，所述引線框架還包括多個溝槽，所述溝槽的深度小于所述引線框架的厚度，所述溝槽的深度至少在所述管芯附著墊區(qū)域的第一內(nèi)部區(qū)域中并從所述管芯附著墊區(qū)域的第二表面朝向所述第一表面延伸；

其中所述溝槽部分地延伸進(jìn)入相應(yīng)的所述突起中。

10.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

半導(dǎo)體管芯；

引線框架，所述引線框架具有在第一表面和第二表面之間的厚度，并且包括：

管芯附著墊，具有大體矩形的內(nèi)部和圍繞其外圍并與其鄰接并從其向外延伸的多個突起，以及

包封所述半導(dǎo)體管芯并形成所述封裝的模塑料，其中模塑料在管芯附著墊的每一側(cè)周圍具有相應(yīng)的壕溝；

其中半導(dǎo)體管芯附接到所述管芯附著墊的第一表面；

其中，所述管芯附著墊具有至少在管芯附著墊的內(nèi)部并且從管芯附著墊的第二表面朝著第一表面延伸的多個溝槽，所述多個溝槽的深度小于所述引線框架的厚度；

其中多個溝槽各自延伸進(jìn)入相應(yīng)的一個突起直至與壕溝相接。