[發明專利]一種CrNbTiVZrSi高熵合金及其制備方法

在審

• 申請號: 202010945706.0
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN112030055A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 劉日平;逯昊燃;陳博涵;馬巍;姬朋飛;李波;張新宇;馬明臻
• 申請（專利權）人: 燕山大學
• 主分類號: C22C30/00
• 分類號: C22C30/00;C22C1/02;C22F1/00
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 劉奇

1.一種CrNbTiVZrSi高熵合金，所述CrNbTiVZrSi高熵合金中Cr、Nb、Ti、V、Zr、Si元素的物質的量之比為Cr：Nb：Ti：V：Zr：Si＝(0.5～1.5)：(0.5～1.5)：(0.5～1.5)：(0.5～1.5)：(0.5～1.5)：(0.08～0.42)。

2.根據權利要求1所述的CrNbTiVZrSi高熵合金，其特征在于，所述CrNbTiVZrSi高熵合金中Cr、Nb、Ti、V、Zr、Si元素的物質的量之比為Cr：Nb：Ti：V：Zr：Si＝(0.6～1.2)：(0.6～1.2)：(0.6～1.2)：(0.6～1.2)：(0.1～0.4)。

3.根據權利要求2所述的CrNbTiVZrSi高熵合金，其特征在于，所述CrNbTiVZrSi高熵合金中Cr、Nb、Ti、V、Zr、Si元素的物質的量之比為Cr：Nb：Ti：V：Zr：Si＝(0.8～1.1)：(0.8～1.1)：(0.8～1.1)：(0.8～1.1)：(0.35～0.4)。

4.根據權利要求3所述的CrNbTiVZrSi高熵合金，其特征在于，所述CrNbTiVZrSi高熵合金中Cr、Nb、Ti、V、Zr、Si元素的物質的量之比為Cr：Nb：Ti：V：Zr：Si＝(0.9～1)：(0.9～1)：(0.9～1)：(0.9～1)：(0.38～0.4)。

5.權利要求1～4中任一項所述的CrNbTiVZrSi高熵合金的制備方法，包括以下步驟：

(1)將合金原料進行熔煉，冷卻后得到鑄錠；

(2)將所述步驟(1)得到的鑄錠進行均勻化退火，得到CrNbTiVZrSi高熵合金。

6.根據權利要求5所述的CrNbTiVZrSi高熵合金的制備方法，其特征在于，所述合金原料在熔煉之前進行預處理。

7.根據權利要求5所述的CrNbTiVZrSi高熵合金的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中熔煉的溫度為1500～3000℃，熔煉的時間為30～60min。

8.根據權利要求5所述的CrNbTiVZrSi高熵合金的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中冷卻的方式為隨爐冷卻至室溫。

9.根據權利要求5所述的CrNbTiVZrSi高熵合金的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中均勻化退火的升溫速率為8～16℃/min。

10.根據權利要求5所述的CrNbTiVZrSi高熵合金的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中均勻化退火的保溫溫度為1000～1300℃，均勻化退火的保溫時間為20～24h。