[發(fā)明專利]基板和基板的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010945145.4 | 申請日: | 2020-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN112071830B | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉巍巍 | 申請(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 高楊麗 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 方法 | ||
1.一種基板的制備方法,其特征在于,包括:
提供襯底;
在所述襯底一側(cè)制備發(fā)光器件綁定端子和驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的像素驅(qū)動電路,所述發(fā)光器件綁定端子位于基板的發(fā)光器件綁定區(qū)內(nèi),所述像素驅(qū)動電路位于所述基板的驅(qū)動電路區(qū)內(nèi);
在所述發(fā)光器件綁定端子遠離所述襯底的一側(cè)依次形成反射層和防刮層,所述反射層和所述防刮層覆蓋所述像素驅(qū)動電路,在所述反射層和所述防刮層中圖案化形成暴露所述發(fā)光器件綁定端子的第一過孔;
通過絲網(wǎng)印刷法在所述第一過孔內(nèi)填充焊膏;
采用準分子激光作為光源照射所述防刮層,將所述防刮層剝離,將發(fā)光器件通過所述焊膏與所述發(fā)光器件綁定端子綁定。
2.如權(quán)利要求1所述的基板的制備方法,其特征在于,所述防刮層包括無機材料、有機復合材料、有機無機復合材料、以及熔點低于閾值的金屬材料中的至少一種。
3.如權(quán)利要求2所述的基板的制備方法,其特征在于,所述防刮層包括正性光敏材料或負性光敏材料。
4.如權(quán)利要求3所述的基板的制備方法,其特征在于,所述防刮層包括光敏性聚酰亞胺。
5.如權(quán)利要求1所述的基板的制備方法,其特征在于,在所述發(fā)光器件綁定端子遠離所述襯底的一側(cè)依次形成反射層和防刮層的步驟,包括:形成厚度大于3微米的防刮層。
6.如權(quán)利要求1所述的基板的制備方法,其特征在于,在所述襯底一側(cè)制備發(fā)光器件綁定端子和驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的像素驅(qū)動電路的步驟,包括:在所述襯底上依次形成第一金屬層、柵絕緣層、有源層和第二金屬層,所述第一金屬層圖案化形成所述像素驅(qū)動電路中各晶體管的柵極,所述第二金屬層圖案化形成所述發(fā)光器件綁定端子和所述各晶體管的源漏極。
7.如權(quán)利要求1所述的基板的制備方法,其特征在于,在所述發(fā)光器件綁定端子遠離所述襯底的一側(cè)依次形成反射層和防刮層的步驟之前,還包括:在所述基板的芯片綁定區(qū)內(nèi)形成芯片綁定端子。
8.如權(quán)利要求1所述的基板的制備方法,其特征在于,所述發(fā)光器件包括Mini LED或Micro LED。
9.一種基板,其特征在于,采用權(quán)利要求1至8任一項所述的基板的制備方法制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





