[發明專利]一種陣列基板、顯示面板

在審

• 申請號: 202010944769.4
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN112068371A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 奚蘇萍
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 高楊麗

本申請提供一種陣列基板、顯示面板，該陣列基板包括多個子像素，每一子像素包括主區薄膜晶體管、次區薄膜晶體管以及共享薄膜晶體管。子像素包括主區和次區，對應主區設置有主像素電極，對應次區設置有次像素電極，子像素還包括與主像素電極以及次像素電極異層設置的公共電極。主區薄膜晶體管通過第一過孔與主像素電極電連接，次區薄膜晶體管通過第二過孔與次像素電極電連接，共享薄膜晶體管通過第三過孔與公共電極電連接；其中，第三過孔的孔徑小于第一過孔以及第二過孔的孔徑。本申請通過將原本貫穿有機保護層的第三過孔改為貫穿柵極絕緣層，從而減小第三過孔的孔徑，進而提高像素的開口率和穿透率。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板。

背景技術

隨著面板尺寸越來越大，背光也越來越大，這意味著背光發熱會增加，可以通過提高面板的穿透率來減小背光的亮度，從而有效避免發熱現象，即提升像素(pixel)的開口率，相應提高面板穿透率顯得尤為必要。大尺寸高解析度意味著pixel的尺寸越來越小，開口區也隨之變小。且人們對色偏的規格要求越來越高，對于VA產品，通常采用8疇顯示，即通常要采用所謂的3T or 3T plus結構,這意味著會占用更多的空間的同時會相應地犧牲部分開口區。而大尺寸背光產熱嚴重，需要通過提高穿透率來有效避免這一現象的產生，但是，對于高解析度大尺寸高規格產品，提高穿透率變得很難。

因此，現有技術存在缺陷，急需解決。

發明內容

本申請提供一種陣列基板、顯示面板，能夠提高高解析度大尺寸產品的像素開口率，從而提升穿透率以解決大尺寸背光產熱嚴重的問題。

為解決上述問題，本申請提供的技術方案如下：

本申請提供一種陣列基板，包括陣列分布的子像素，每一所述子像素包括主區薄膜晶體管、次區薄膜晶體管以及共享薄膜晶體管；

所述子像素包括主區和次區，對應所述主區設置有主像素電極，對應所述次區設置有次像素電極，所述子像素還包括與所述主像素電極以及所述次像素電極異層設置的公共電極；

所述主區薄膜晶體管通過第一過孔與所述主像素電極電連接，所述次區薄膜晶體管通過第二過孔與所述次像素電極電連接，所述共享薄膜晶體管通過第三過孔與所述公共電極電連接；

其中，所述第三過孔的孔徑小于所述第一過孔以及所述第二過孔的孔徑。

在本申請的陣列基板中，所述陣列基板包括：

基底；

柵極，設置于所述基底上；

柵極絕緣層，設置于所述柵極上；

有源層，對應所述柵極設置于所述柵極絕緣層上；

源/漏極，設置于所述有源層的兩端，并與所述有源層的離子摻雜區接觸；

有機保護層，設置于所述源/漏極上；

像素電極層，設置于所述有機保護層上，包括所述主像素電極和所述次像素電極；

所述公共電極與所述柵極同層設置，所述第一過孔以及所述第二過孔貫穿所述有機保護層，所述第三過孔貫穿柵極絕緣層。

在本申請的陣列基板中，一所述子像素對應設置有第一源極、第二源極、第一漏極以及第二漏極，其中，所述主區薄膜晶體管和所述次區薄膜晶體管共用所述第一源極，所述次區薄膜晶體管和所述共享薄膜晶體管共用所述第二漏極。

在本申請的陣列基板中，同一所述子像素的所述主區和所述次區之間包括非顯示區，所述主區薄膜晶體管、所述次區薄膜晶體管以及所述共享薄膜晶體管對應位于所述非顯示區內，其中，所述第一過孔至少一部分位于所述主區內，所述第二過孔至少一部分位于所述次區內。