[發明專利]雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管

有效

• 申請號: 202010944159.4
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN112038495B
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 康博南;龐裕;張子召
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 王淑秋

1.一種雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管，其結構自上而下依次為：金屬陰極、電子注入層、電子傳輸層、鈣鈦礦發光層、空穴傳輸層、空穴注入層、透明導電陽極、透明襯底；其特征在于所述鈣鈦礦發光層通過下述方法制備：

將各材料按摩爾比為PEAI:MAI:CsI:PbI₂:BaCl₂＝0.14～0.16:0.10～0.13:0.09～0.11:0.17～0.19:0.005～0.015共溶于DMSO溶劑當中，得到Pb²⁺摩爾濃度為0.17～0.19mmol/ml的前驅液；配置PEO溶液；將前驅液和PEO溶液分別在50℃～60℃、180rpm～200rpm轉速條件下攪拌30min～60min，取與前驅液等體積的PEO溶液加入前驅液，繼續在50℃～60℃和180rpm～200rpm轉速條件下攪拌至少1小時，然后用有機濾頭過濾；將過濾后的混合液旋涂在空穴傳輸層表面，旋涂條件為800rpm～1000rpm低速旋轉5s～10s、5500rpm～6500rpm高速旋轉60s～120s；在高速旋轉25s～30s時滴加180μL～200μL氯苯反溶劑，最后在70℃～80℃條件下退火5min～7min。

2.根據權利要求1所述的雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管，其特征在于所述的前驅液中各材料摩爾比為PEAI:MAI:CsI:PbI₂:BaCl₂＝0.15:0.10～0.13:0.10:0.18:0.005～0.015；退火條件為80℃條件下退火5min。

3.根據權利要求1所述的雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管，其特征在于所述的前驅液中各材料摩爾比為PEAI:MAI:CsI:PbI₂:BaCl₂＝0.15:0.13:0.10:0.18:0.005～0.015，退火條件為80℃條件下退火5min。

4.根據權利要求1所述的雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管，其特征在于所述的前驅液中各材料摩爾比為PEAI:MAI:CsI:PbI₂:BaCl₂＝0.15:0.13:0.10:0.18:0.015，退火條件為80℃條件下退火5min。

5.根據權利要求1所述的雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管，其特征在于所述透明襯底為透明玻璃襯底或透明聚合物襯底。

6.根據權利要求1所述的雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管，其特征在于所述金屬陰極為Ag、Al或Au中的一種或幾種組成的合金，其厚度為80nm～200nm。

7.根據權利要求1所述的雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管，其特征在于所述電子注入層為LiF，其厚度為0.9nm～1.2nm；所述電子傳輸層為TPBi有機材料，其厚度為35nm～40nm。

8.根據權利要求1所述的雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管，其特征在于所述空穴傳輸層為PVK，其旋涂方式是以3500rpm～4500rpm高速旋轉50s～60s后經120℃～140℃退火5min～7min制成薄膜。

9.根據權利要求1所述的雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管，其特征在于所述空穴注入層為PEDOT:PSS，由旋涂方式以3500rpm～4500rpm旋轉30～40s再加以140℃～150℃退火10min～15min制成薄膜。

10.根據權利要求1所述的雙陽離子結構紅光準二維鈣鈦礦發光二極管，其特征在于所述透明導電陽極材料為摻氟氧化錫，沉積于透明襯底上。