[發明專利]一種抗輻照雙柵LDMOS器件結構

在審

• 申請號: 202010942729.6
• 申請日: 2020-09-09
• 公開（公告）號: CN111987152A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 方健;馬紅躍;黎明;雷一博;卜寧;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L27/02;H01L27/088
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡

1.一種抗輻照雙柵LDMOS器件結構，其特征在于：包括位于底部的P型襯底(1)；P襯底(1)左上方的P阱(2)；P襯底(1)右上方的N型漂移區(12)；P阱內左上方的源區P+注入(4)；位于源區P+注入(4)的右側源區N+注入(3)；位于源區N+注入(3)的右側的N+注入(5)；位于P阱(2)上方，N+注入(3)和N+注入(5)之間的薄柵氧化層(6)；位于薄柵氧化層(6)上方的NMOS多晶硅(7)；位于P阱(2)和N型漂移區(12)之上的LDMOS厚柵氧化層(8)；位于LDMOS厚柵氧化層(8)上方的LDMOS多晶硅(9)；位于N型漂移區(12)上方的LDMOS場氧化層(10)；位于N型漂移區(12)右上方的漏極N+注入(11)，LDMOS厚柵氧化層(8)的厚度大于薄柵氧化層(6)。

2.根據權利要求1所述的抗輻照雙柵LDMOS器件結構，其特征在于：器件結構的電路包括NMOS管(13)、LDMOS管(14)、分壓電阻R1以及R2，電路連接為NMOS(13)的源極S1和電阻R1的左端共同連接到地，NMOS(13)的柵極G1連接到電阻R1的右端，同時連接到電阻R2的左端；LDMOS(14)的源極S2連接NMOS的漏極D1,漏極D2連接到電源電壓VDD，柵極G2連接電阻R2的右端同時連接到輸入端口VG2。

3.根據權利要求1或2所述的抗輻照雙柵LDMOS器件結構，其特征在于：在源區N+注入的上方添加一層二氧化硅以及多晶硅，在源區形成的NMOS構成本發明的LDMOS，在輻照后，關態時雖然LDMOS是開啟的，但在源區形成的NMOS是關態的，保證了在輻照后產生的泄漏電流不會直接從漏極(11)流向源極(3)，采用poly電阻來作為NMOS柵極和LDMOS柵極的偏置電壓，保證器件的正常開關特性以及電學特性。