[發明專利]集成電路結構

在審

• 申請號: 202010941862.X
• 申請日: 2020-09-09
• 公開（公告）號: CN113053886A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 楊國男;劉逸群
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本描述的一態樣是關于一種集成電路(integrated circuit,IC)結構，其包括第一層及第二層。第一層包括第一金屬結構和第二金屬結構，該第一金屬結構耦接至具有第一電壓位準的第一電源，該第二金屬結構耦接至具有與第一電壓位準不同的第二電壓位準的第二電源。第二層形成在第一層之上。第二層包括第一納米片材元件和第二納米片材元件，第一納米片材元件耦接至第一金屬結構，第二納米片材元件與第一納米片材元件相鄰。第二納米片材元件耦接至第二金屬結構。第一納米片材元件與第二納米片材元件之間的距離小于最小的n井至n井間距。

技術領域

本揭示內容是關于一種集成電路(integrated circuit,IC)結構。

背景技術

本揭示案是關于集成電路IC電路示意圖、IC布局圖及IC結構，且更特定言之，是關于使用納米片材結構的多個供電域。集成電路(IC)通常包括另外稱作IC元件的諸多半導體元件。表示IC元件的一種方式為使用平面圖，此平面圖稱作布局圖或IC布局圖。IC布局圖為階層式的，且包括根據IC元件的設計規范執行高階(high-level)功能的模塊。這些模塊時常由單元的組合建構，這些單元可包括標準的單元及定制的單元，其中每一者表示一或更多個半導體結構。

單元用以提供常見、低階(low-level)的功能，此些功能時常由晶體管基于與主動區相交的柵極區域執行。單元的元件布置在單元邊界內并經由互連結構電連接至其他單元。

發明內容

本揭示提供一種集成電路(IC)結構，包括第一層和第二層。第一層包括第一金屬結構、第二金屬結構和介電結構。第一金屬結構耦接至具有第一電壓位準的第一電源。第二金屬結構耦接至第二電源，第二電源具有與第一電壓位準不同的第二電壓位準。介電結構在第一金屬結構與第二金屬結構之間。第二層在該第一層之上形成，第二層包括第一納米片材元件和第二納米片材元件。第一納米片材元件耦接至第一金屬結構。第二納米片材元件與第一納米片材元件相鄰，第二納米片材元件耦接至第二金屬結構。

附圖說明

當結合隨附諸圖閱讀時，得以自以下詳細描述最佳地理解本揭示案的態樣。應注意，根據行業上的標準實務，各種特征未按比例繪制。事實上，為了論述清楚，可任意地增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A根據一些實施例描繪單元的集成電路(IC)布局圖；

圖1B根據一些實施例描繪單元的IC布局圖；

圖1C根據一些實施例描繪IC結構；

圖1D根據一些實施例描繪IC結構；

圖1E根據一些實施例描繪IC結構；

圖2為根據一些實施例的操作IC制造系統的方法的流程圖；

圖3A根據一些實施例描繪出單元的IC布局圖；

圖3B根據一些實施例描繪單元的IC布局圖；

圖3C根據一些實施例描繪IC結構；

圖4為根據一些實施例的操作IC制造系統的方法的流程圖；

圖5A根據一些實施例描繪兩個單元的IC布局圖；

圖5B根據一些實施例描繪IC結構；

圖6A根據一些實施例描繪單元的IC布局圖；

圖6B根據一些實施例描繪IC結構；

圖7描繪表示IC模塊的IC電路示意圖；

圖8為根據一些實施例的操作IC制造系統的方法的流程圖；

圖9為根據一些實施例的IC布局圖產生系統的方塊圖；

圖10為根據一些實施例的IC制造系統的方塊圖以及與其相關聯的IC制造流程。