[發(fā)明專利]一種襯底的回收工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010941634.2 | 申請日： | 2020-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN112054099A | 公開（公告）日： | 2020-12-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李瑞評;曾柏翔;張佳浩;楊良;陳銘欣 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建晶安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 362411 福建省*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 襯底 回收 工藝 | ||
1.一種襯底的回收工藝，其特征在于，所述工藝包括：
提供外延生長完成的襯底，襯底包括相對的第一面和第二面，第一面上有外延層；
在所述襯底的第二面鍍低折射率膜，
利用激光從所述襯底的第二面?zhèn)葘σr底進行掃描，在襯底內(nèi)部形成多個改質(zhì)點，以調(diào)整所述襯底的翹曲；
去除所述襯底第一面上的外延層和低折射率膜，得到回收的襯底，其中低折射率膜的折射率低于襯底的折射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底的回收工藝，其特征在于，所述低折射率膜的折射率在1~1.8之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底的回收工藝，其特征在于，所述低折射率膜的厚度在0.1μm~30μm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底的回收工藝，其特征在于，所述改質(zhì)點位于所述襯底厚度的2%~98%厚度范圍內(nèi)，其中2%和98%的厚度范圍是從第二面開始算起。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底的回收工藝，其特征在于，從所述的襯底的第二面觀察，所述改質(zhì)點所分布的區(qū)域為距離所述襯底中心至少10 mm的所述襯底的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種襯底的回收工藝，其特征在于，激光掃描的掃描線包括多條圓周線、多條線段以及多條圓周線與線段的組合中的任意一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種襯底的回收工藝，其特征在于，所述掃描線中的所述線段包括沿所述襯底的徑向延伸的多條線段、在相交的兩個方向上延伸形成的網(wǎng)格線，所述多條圓周線與線段的組合包括所述圓周線與沿所述襯底的徑向的線段的組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底的回收工藝，其特征在于，所述改質(zhì)點的大小介于1μm~ 5 mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底的回收工藝，其特征在于，自所述襯底的所述第二面觀察所述襯底，多個所述改質(zhì)點所組合的圖形包括多個圓周線、多條線段或者多個圓周線與多條線段的組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底的回收工藝，其特征在于，加熱條件下，氣體與所述襯底的外延生長層反應去除外延層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底的回收工藝，其特征在于，所述的低折射率膜對激光的透光率至少為50%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于福建晶安光電有限公司，未經(jīng)福建晶安光電有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010941634.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
