[發(fā)明專利]一種顯示面板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010941313.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112086572B | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金武謙;鄭敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板和顯示裝置,本申請(qǐng)的顯示面板中在感光模組對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置金屬氧化物層,由于金屬氧化物層為透明度高的半導(dǎo)體,當(dāng)外界的光進(jìn)入陰極層,會(huì)有一部分光被陰極層反射出去,同時(shí)有一部分光穿過(guò)顯示面板各膜層,而各膜層的有一部分光會(huì)反射到金屬氧化物層,而金屬氧化物層可以將這部分光部分重新反射回感光模組,這樣能夠提高感光模組的受光量,增加顯示面板的感光強(qiáng)度。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展,對(duì)于手機(jī)、平板電腦、相機(jī)等電子產(chǎn)品,用戶要求具有更多功能和時(shí)尚外觀。目前,手機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)是輕薄、接近全面屏。近來(lái),為了實(shí)現(xiàn)全面屏或接近全面屏效果,屏下生物特征檢測(cè)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,也就是將生物特征檢測(cè)模組放在顯示屏的下方,通過(guò)顯示屏發(fā)送或接收檢測(cè)光束實(shí)現(xiàn)生物特征檢測(cè)。現(xiàn)在的屏下生物特征檢測(cè)技術(shù)通常因?yàn)樯锾卣鳈z測(cè)模組的感光不足而影響檢測(cè)效果。
因此,提供一種能夠增加感光強(qiáng)度的顯示面板成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示面板和顯示裝置,能夠增加感光強(qiáng)度。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示面板,包括:
層間介質(zhì)層,具有相對(duì)設(shè)置的第一面和第二面;
遮光層,設(shè)置在所述第一面,所述遮光層具有開口,所述開口用于與感光模組對(duì)應(yīng);
第一平坦化層,設(shè)置在所述第一面,且覆蓋所述遮光層;
金屬氧化物層,設(shè)置在所述第一平坦化層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面;
第一絕緣層,設(shè)置在所述第一平坦化層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面,且覆蓋所述金屬氧化物層;
第二絕緣層,設(shè)置在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面;
第二平坦化層,設(shè)置在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面;
像素定義層,設(shè)置在所述第二平坦化層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面;
發(fā)光功能層,設(shè)置在所述像素定義層遠(yuǎn)離所述像素定義層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面;
陰極層,設(shè)置在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面;
其中,所述像素定義層、發(fā)光功能層以及陰極層上設(shè)有凹槽,所述凹槽與所述開口對(duì)應(yīng)。
在一些實(shí)施例中,所述像素定義層與發(fā)光功能層之間設(shè)置有黑色像素定義層。
在一些實(shí)施例中,還包括絕緣薄膜層、緩沖層以及第三絕緣層,所述絕緣薄膜層、緩沖層以及第三絕緣層從依次層疊設(shè)置,所述第三絕緣層靠近所述層間介質(zhì)層。
在一些實(shí)施例中,所述緩沖層遠(yuǎn)離所述絕緣薄膜層的一面設(shè)置有多晶硅層,所述第一面設(shè)有第一源漏極層,所述第一源漏極層與所述多晶硅層連接,所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面設(shè)有第二源漏極層,所述第二源漏極層穿過(guò)接觸孔與所述第一源漏極層連接。
在一些實(shí)施例中,所述第二平坦化層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面設(shè)有陽(yáng)極層,所述陽(yáng)極層與所述第二源漏極層連接。
在一些實(shí)施例中,還包括溝道層,所述溝道層設(shè)置在所述第一平坦化層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面,所述溝道層和金屬氧化物層一次成型,所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述層間介質(zhì)層的一面設(shè)有第三源漏極層,所述源漏極層與所述溝道層連接。
在一些實(shí)施例中,所述溝道層的正投影位于所述遮光層內(nèi)。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示裝置,包括顯示面板和感光模組,所述感光模組設(shè)置在所述顯示面板底部,所述顯示面板為以上所述的顯示面板,所述感光模組與所述開口對(duì)應(yīng)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





