[發明專利]一種碳布負載花狀Sb2 有效
| 申請號： | 202010940396.3 | 申請日： | 2020-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN112038607B | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發明（設計）人： | 費杰;王娜;黃劍鋒;曹麗云;許占位;李嘉胤;鄭欣慧;楊甜 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | H01M4/36 | 分類號： | H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/054 |
| 代理公司： | 西安眾和至成知識產權代理事務所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 張美松 |
| 地址： | 710021*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 負載 sb base sub | ||
1.一種碳布負載花狀Sb2O4@多面體Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于，具體步驟包括：
步驟（1）：將0.003~0.006 g單層氧化石墨烯置于小于等于40 mL的溶劑中并超聲震蕩得溶液A，所述溶劑為去離子水或去離子水與無水乙醇的混合液；
步驟（2）：將0.5~0.8 g三氯化銻加入到步驟（1）所得的的溶液A中，并調節pH=9~12，繼續攪拌形成反應前驅體，將陽極氧化活化后的碳布置于反應前驅體中浸漬；
步驟（3）：將步驟（2）的碳布與反應前驅體一并轉入反應器內，在150~180℃條件下進行水熱反應12~48 h，反應結束后冷卻至室溫取出碳布，清洗并烘干，得碳布負載花狀Sb2O4@多面體Sb2O5復合自支撐電極材料。
2.根據權利要求1所述的碳布負載花狀Sb2O4@多面體Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中的單層氧化石墨烯為粉末狀，片徑為0.5~5 μm，厚度為0.8~1.2 nm。
3.根據權利要求1所述的碳布負載花狀Sb2O4@多面體Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中去離子水與無水乙醇的體積比為10~20：0~20。
4.根據權利要求1所述的碳布負載花狀Sb2O4@多面體Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中調節pH使用的是0.5~0.9 mg/mL的氫氧化鈉溶液。
5.根據權利要求1所述的碳布負載花狀Sb2O4@多面體Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中碳布的陽極氧化所用電解質為20~25 g/L的磷酸二氫銨，陽極氧化電壓為5V，陽極氧化時間為3~5 min。
6.根據權利要求1所述的碳布負載花狀Sb2O4@多面體Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中的浸漬時間為10~30 min。
7.根據權利要求1所述的碳布負載花狀Sb2O4@多面體Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中的反應容器為均相反應儀，均相反應儀的轉速為10 r/min。
8.根據權利要求1至7中任意一項所述的制備方法制備所得的碳布負載花狀Sb2O4@多面體Sb2O5復合自支撐電極材料。
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