[發(fā)明專利]一種中子原位裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010940214.2
• 申請(qǐng)日: 2020-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN112151898A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳東風(fēng);劉榮燈;孫凱;劉蘊(yùn)韜;李天富;王子軍;郭浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)原子能科學(xué)研究院
• 主分類號(hào): H01M10/48
• 分類號(hào): H01M10/48;H01M10/0525;H01M10/054
• 代理公司: 北京天悅專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11311
• 代理人: 田明;任曉航

1.一種中子原位裝置，其特征是：包括由密封圈(5)和片狀的正極、片狀的負(fù)極共同構(gòu)成的一個(gè)腔體(9)，所述腔體(9)用于盛放電解液和隔膜包裹的活性物質(zhì)；所述正極包括依次層疊設(shè)置的第一支撐體(1)、連結(jié)層(2)、正極集流器(3)、正極材料(4)；所述負(fù)極包括依次層疊設(shè)置的第二支撐體(8)、負(fù)極集流器(7)、負(fù)極材料(6)。

2.如權(quán)利要求1所述的中子原位裝置，其特征是：所述活性物質(zhì)是單質(zhì)鋰，或者單質(zhì)鈉，或者鋰鹽，或者鈉鹽。

3.如權(quán)利要求1所述的中子原位裝置，其特征是：

在所述正極中，所述第一支撐體(1)位于所述密封圈(5)的一端開口上，所述連結(jié)層(2)、所述正極集流器(3)和所述正極材料(4)位于所述腔體(9)內(nèi)部；

在所述負(fù)極中，所述第二支撐體(8)位于所述密封圈(5)的另一端開口上，所述負(fù)極集流器(7)和所述負(fù)極材料(6)位于所述腔體(9)內(nèi)部。

4.如權(quán)利要求1所述的中子原位裝置，其特征是：所述第一支撐體(1)和所述第二支撐體(8)為單晶硅片或二氧化硅片，厚度為0.2mm-3mm或8mm-45mm；面積為5cm²-100cm²。

5.如權(quán)利要求1所述的中子原位裝置，其特征是：所述連結(jié)層(2)是設(shè)置在所述第一支撐體(1)上的鍍層，材質(zhì)為鈦、鉑或鉻，厚度為2nm-15nm。

6.如權(quán)利要求1所述的中子原位裝置，其特征是：所述正極集流器(3)是設(shè)置在所述連結(jié)層(2)上的鍍層，材質(zhì)為金、鉑或鋁，厚度為10nm-60nm。

7.如權(quán)利要求1所述的中子原位裝置，其特征是：所述負(fù)極集流器(7)是設(shè)置在所述第二支撐體(8)上的鍍層，材質(zhì)為金、鉑或銅，厚度為10nm-60nm。

8.如權(quán)利要求1所述的中子原位裝置，其特征是：所述密封圈(5)的材質(zhì)為硅膠或聚四氟乙烯材料，所述密封圈(5)所圍成的最佳面積為5cm²-80cm²。

9.如權(quán)利要求1所述的中子原位裝置，其特征是：所述正極材料(4)和所述負(fù)極材料(6)的厚度為10nm-100nm。

10.如權(quán)利要求1所述的中子原位裝置，其特征是：還包括用于將所述密封圈(5)、所述正極和所述負(fù)極固定成為一體的夾具。