[發(fā)明專利]電子器件、制造其的方法和包括其的存儲器件

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• 申請日: 2020-09-09
• 公開（公告）號: CN113097303A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 文泰歡;李銀河;金正華;李香淑;趙常玹;許鎮(zhèn)盛
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L27/11502
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波

1.一種電子器件，包括：

襯底；

在所述襯底上的籽晶層，所述籽晶層包括具有被配向的晶向的晶粒；

在所述籽晶層上的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層包括具有配向在與所述籽晶層的所述晶向相同的方向上的晶向的晶粒；以及

在所述電介質(zhì)層上的電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，還包括：

源極；

漏極；以及

溝道層，在所述襯底的上表面處或上表面上、在所述源極與所述漏極之間且在與所述電極對應(yīng)的位置，

其中所述電極是柵電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子器件，其中所述溝道層包括Si、Ge、III-V族半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、氮化物半導(dǎo)體、氮氧化物半導(dǎo)體、二維半導(dǎo)體材料、量子點和有機半導(dǎo)體中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述籽晶層包括氧化物、氮化物、硫族化物和二維絕緣體材料中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子器件，其中所述氧化物包括Y、Si、Al、Hf、Zr、La、Mo、W、Ru和Nb中的至少一種的氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件，其中所述氧化物還包括摻雜劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述籽晶層具有0.5nm至3nm的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述電介質(zhì)層包括鐵電體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述電介質(zhì)層包括Hf、Si、Al、Zr、Y、La、Gd和Sr中的至少一種的氧化物。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，其中所述電介質(zhì)層還包括摻雜劑。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述電介質(zhì)層具有0.5nm至20nm的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述籽晶層的所述晶粒的所述晶向和所述電介質(zhì)層的所述晶粒的所述晶向具有111取向。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中：

所述電極是第一電極，以及

所述襯底是第二電極。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件，其中所述電子器件是電容器。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子器件，其中所述電介質(zhì)層具有剩余極化。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，還包括：

在所述籽晶層與所述襯底之間的非晶電介質(zhì)層。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，還包括：

結(jié)晶電介質(zhì)層，在所述籽晶層與所述襯底之間具有與所述籽晶層的所述被配向的晶向不同的晶向。

18.一種制造電子器件的方法，所述方法包括：

準(zhǔn)備在其中具有溝道層的襯底；

在所述溝道層上形成籽晶層，所述籽晶層包括具有被配向的晶向的晶粒；

在所述籽晶層上形成電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層包括具有配向在與所述籽晶層的所述晶向相同的方向上的晶向的晶粒；以及

在所述電介質(zhì)層上形成柵電極。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成所述籽晶層包括：

在所述溝道層上沉積非晶電介質(zhì)材料層，以及

使所沉積的非晶電介質(zhì)材料層結(jié)晶。