[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202010939653.1
• 申請日: 2020-09-09
• 公開（公告）號: CN113284842A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 金永録
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種制造半導體裝置的方法，該方法包括以下步驟：

形成第一層疊結構；

形成穿透所述第一層疊結構的多個第一孔；

在所述第一層疊結構上形成第二層疊結構；

形成穿透所述第二層疊結構的多個第二孔；

測量所述第一孔的邊緣與所述第二孔的邊緣之間的第一方向距離以計算第一校正值，多個所述第一孔的邊緣的位置分別通過所述第二孔暴露；以及

使用所述第一校正值來校正要形成所述第二孔的第一方向位置，

其中，多個所述第二孔包括相對于第一孔在正第一方向上移位的第一移位孔和相對于第一孔在負第一方向上移位的第二移位孔中的一個。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在測量所述第一方向距離的步驟中，測量所述第一孔的頂表面邊緣與所述第二孔的底表面邊緣之間的第一方向距離。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，測量所述第一方向距離的步驟包括以下步驟：

測量所述第一移位孔的邊緣與第一孔的通過所述第一移位孔暴露的邊緣之間的第一距離；以及

測量所述第二移位孔的邊緣與第一孔的通過所述第二移位孔暴露的邊緣之間的第二距離。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，在校正所述第二孔的所述第一方向位置的步驟中，當所述第一距離大于所述第二距離時，在所述負第一方向上校正要形成所述第二孔的位置。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，當所述第二距離大于所述第一距離時，在所述正第一方向上校正要形成所述第二孔的位置。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，多個所述第二孔包括相對于第一孔在正第二方向上移位的第三移位孔和相對于第一孔在負第二方向上移位的第四移位孔中的一個。

7.根據權利要求6所述的方法，該方法還包括以下步驟：

測量所述第一孔的邊緣與所述第三移位孔的邊緣和所述第四移位孔的邊緣之間的第二方向距離以計算第二校正值，所述第一孔的邊緣的位置通過所述第三移位孔和所述第四移位孔暴露；以及

使用所述第二校正值來校正要形成所述第二孔的第二方向位置。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述第一孔與所述第二孔之間的界面處，所述第一孔的寬度大于所述第二孔的寬度。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，多個所述第二孔包括與第一孔對準的非移位孔。

10.根據權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：

形成第一單元層疊結構；

形成穿透所述第一單元層疊結構的第一溝道孔；

在所述第一單元層疊結構上形成第二單元層疊結構；以及

形成穿透所述第二單元層疊結構的第二溝道孔。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，當形成所述第一孔時，形成所述第一溝道孔，并且當形成所述第二孔時，形成所述第二溝道孔。

12.根據權利要求10所述的方法，該方法還包括以下步驟：使用所述第一校正值來校正要形成所述第二溝道孔的第一方向位置。